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MagnaChip一直致力于模拟及混合信号半导体领域的研究和发展，拥有专业的核心技术。主要事业领域包括 High Voltage CMOS、Power、Embedded Memory、Non Volatile Memory 等。MagnaChip是一家模拟及混合信号非半导体存储器综合性半导体企业。

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FET/MOSFET 单体

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

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FET/MOSFET 单体

MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=400 V, 3.4 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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FET/MOSFET 单体

MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=100 V, 12.8 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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FET/MOSFET 单体

MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=30 V, 94 A, 8引脚 PowerDFN56封装

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FET/MOSFET 单体

Product Overview :Trans MOSFET N-CH 30V 32.9A 8-Pin DFN EP T/R

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FET/MOSFET 单体

MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=500 V, 4.4 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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FET/MOSFET 单体

MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=600 V, 1.9 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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FET/MOSFET 单体

Product Overview :Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin SOIC T/R

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MMUB60R199PCURH

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FET/MOSFET 单体

FET - 单路 SJ MOS,600V,20A,0.199Ω,DFN88

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FET/MOSFET 单体

FET - 单路 SJ MOS,600V,13A,0.29mΩ,TO262

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桥式整流器/整流桥

MPKC2CA150U40 pdf数据手册和 Diodes - Bridge Rectifiers 产品详情来自 MagnaChip 库存可在深圳市佳达源电子有限公司

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Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 1250000mW 7-Pin Case 7DM-3

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Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 7-Pin Case 7DM-1

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Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 833000mW 7-Pin Case 7DM-3

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Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1500000mW 7-Pin Case 7DM-3

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Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 1100000mW 7-Pin Case 7DM-2

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