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关于PRISEMI

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上海芯导电子科技有限公司（Prisemi)是一家专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件开发及销售的芯片公司，总部位于上海张江高科技园区，产品涵盖专用集成电路芯片（锂电池快充、LED背光/闪光灯驱动、移动电源主控、段式LCD驱动、ASK无线收发芯片等）和半导体功率器件（TVS、MOSFET、TSS 、Transistor、Diode等）。

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产品分类：

其他二极管

反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6.4V 峰值脉冲电流（10/1000us）：43.5A 极性：Unidirectional 箝位电压：9.2V

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产品分类：

其他二极管

反向关断电压（典型值）：7V (Max) 击穿电压（最小值）：8V (Typ) 峰值脉冲电流（10/1000us）：60A (8/20us) 极性：Unidirectional 箝位电压：25V

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产品分类：

射频用FET/MOSFET

功率(Pd)：150mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω 10V,500mA 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：180mA 类型：N沟道 N沟,40V,180mA,7.5Ω@10V

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道

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稳压二极管

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：- 击穿电压（最小值）：- 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：- 箝位电压：-

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：5.4V 峰值脉冲电流（10/1000us）：6.5A (8/20us) 极性：Unidirectional 箝位电压：16V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：12V 击穿电压（最小值）：14V 峰值脉冲电流（10/1000us）：4A 极性：Bidirectional 箝位电压：27V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：7V (Max) 击穿电压（最小值）：7.8V 峰值脉冲电流（10/1000us）：80A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：14.8V (Typ)

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稳压二极管

最大功率：500mW 精度：- 反向漏电流：5uA @ 4.2V 稳压值(典型值）：5.1V

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肖特基二极管

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肖特基二极管

正向压降（Vf）：- 直流反向耐压（Vr）：- 平均整流电流（Io）：-

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：24V (Max) 击穿电压（最小值）：25V 峰值脉冲电流（10/1000us）：100A (8/20us) 极性：Unidirectional 箝位电压：54V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：4.5V (Max) 击穿电压（最小值）：4.6V 峰值脉冲电流（10/1000us）：240A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：14V

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0.343864

产品分类：

其他二极管

反向关断电压（典型值）：12V (Max) 击穿电压（最小值）：13V 峰值脉冲电流（10/1000us）：80A (8/20us) 极性：Unidirectional 箝位电压：30V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：18V 击穿电压（最小值）：20V 峰值脉冲电流（10/1000us）：13.7A 极性：Bidirectional 箝位电压：29.2V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：10V 击穿电压（最小值）：11.1V 峰值脉冲电流（10/1000us）：23.5A 极性：Bidirectional 箝位电压：17V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：- 击穿电压（最小值）：- 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：- 箝位电压：-

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产品分类：

其他二极管

反向关断电压（典型值）：24V 击穿电压（最小值）：26.7V 峰值脉冲电流（10/1000us）：15.5A 极性：Bidirectional 箝位电压：38.9V

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