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其他晶体管

VDSS500V、VGS±30V、ID20A、VGS(th)(V)MIN2V、VGS(th)(V)MAX.4V、

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射频用FET/MOSFET

VDSS 900V、VGS ±30、ID 10A VGS(th)(V)MIN.2.5V、VGS(th)(V)MAX.4.5V

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VDSS600V、VGS±30V、ID2A、、VGS(th)(V)MIN2V、VGS(th)(V)MAX.4V、

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VDSS600V、VGS±30V、ID7.4A、VGS(th)(V)MIN2V、VGS(th)(V)MAX.4V、

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2.2A POWER DISTRIBUTION SWITCH* Single power switch family* Operating range: 3.0V~5.5V* 130μA quiescent supply current* 1μA maximum shutdown supply current* 70mΩ high-side MOSFET* 1mS typical rise time* Under voltage lockout* Available with Active-Low / High Enable A:2.2A , B:1.7A , C:1.2A* No reverse current when power off* Output shutdown pull-low resister* Deglitched open-drain over-current flag output (OC )* Output reverse-voltage protection

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2.0A High-Side Power Switches With Flag * Low MOSFET On Resistance: 85mΩ* Compliant to USB Specifications* Available 4 Versions of Continuous Load: AL/AH: 2.0A, BL/BH: 1.5A, CL/CH: 1.0A, DL/DH: 0.5A* Logic Level Enable Pin: Available with Active-high or Active-low Version* Low Supply Current: 68μA (Typ.)* Low Shutdown Current: 1.0μA (Max)* Soft Start-up* Under-voltage Lockout* Over-current Protection* Over Temperature Protection* Load Short Protection with Fold-back* Deglitched FLAG Output with Open Drain* No Reverse Current When Power Off* With Output Shutdown Pull-low Resistor

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0.5A Power Distribution Switch * Operating on The Range of 3V to 5.5V* High-Side MOSFET with 100mΩ RDS(ON) (TYP.)* Quiescent Supply Current: 65μA* Available With 4 Versions of Current Limits with Foldback* Rise Time: 400μS (TYP.)* UVLO (Under Voltage Lockout)* Output Shutdown Pull-low Resister* Shutdown Supply Current: 1μA (MAX.)* Available with Active-Low / High Enable* Reverse Current is Not Generated when in Power Off State* Deglitched Open-Drain Over-Current Flag Output (OC )*US3075:0.5A ; US3175:0.7A ; US3275:1.1A ; US3375:1.5A

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传感器/变送器

DIGITAL HALL-EFFECTSENSOR Ics* Omnipolar detection (polarity detection for both S and N featuresdual outputs)* Push-pull output does not require external pull-up resistor

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传感器/变送器

Bipolar Latch Type Hall Effect for High Temperature Operation* Wide Temperature Operation Range of -30°С ~+125°С* Alternating Magnetic Field Operation* Built-in Protection Diode* TTL and MOS IC are Directly Drivable by the Output* The life is Semi Permanent because it Employs Contact-Less Parts* SIP-3 and SOT-23 Package are Available.

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