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关于NIKO-SEM

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1998年尼克森微电子股份有限公司总部成立于台北，为专业之电源管理功率组件及模拟IC设计公司，主要产品包括POWER MOSFET功率组件、线性稳压IC(LDO)、切换型稳压IC及脉冲控制IC，并广泛应用于主板、笔记本电脑、平板计算机等泛PC产品及其外围电源装置，以及LED Lighting,车用电子/车充市场,Power Bank 及液晶显示面板(LCD) 等相关产业领域。

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：780mW 类型：P沟道

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其他晶体管

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：215mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：P沟道

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其他数字信号处理器/控制器

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：460mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：108mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：75mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：16.7W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,6.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 7A,10V;28mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 8A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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芯片电阻器-表面安装

P2003ED In Stock, TO-252

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芯片电阻器-表面安装

L1117LG-1.8 In Stock, SOT223

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稳流/电流管理

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