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华邦成立于1987年9月，1995年正式于台湾证券交易所挂牌上市。企业总部座落于台湾中部科学工业园区。华邦电子是一家专业的利基型内存IC设计、制造与销售公司，从产品设计、技术研发、晶圆制造到自有品牌营销全球，华邦致力提供全球客户全方位的中低密度利基型内存解决方案服务。华邦核心产品包含闪存（Code Storage Flash Memory）、利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）及移动随机存取内存（Mobile DRAM），运用技术自主之优势及谨慎规划的产能策略，建立极具弹性的生产体系，并发挥产品组合相乘所产生之综效，充分满足客户多元化需求、落实自有品牌之发展。

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W979H6KBVX1E TR

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其他存储器

动态随机存取存储器 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz T&R

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W9825G6JB-6I TR

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其他存储器

动态随机存取存储器 256M SDR S动态随机存取存储器 x16, 166MHz, Ind Temp T&R

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W971GG8SS25I TR

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其他存储器

动态随机存取存储器 1G, DDR2-800, x8. Ind temp T&R

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W634GU8MB15I TR

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动态随机存取存储器 4G DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x8, 667MHz, Industrial Temp, T&R

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W634GU6MB15I TR

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动态随机存取存储器 4G DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x16, 667MHz, Industrial Temp, T&R

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W634GU6MB-09 TR

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动态随机存取存储器 4G DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x16, 1066MHz, T&R

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W979H6KBQX2I TR

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动态随机存取存储器 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 ~ 85C T&R

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W97AH6KBQX2I TR

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其他存储器

动态随机存取存储器 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 ~ 85C T&R

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

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磁阻随机存取存储器

Description,The W631GG6KB is a1G bits?DDR3 SDRAM and speed involving -11/-12/-15 and 15I Status: Mass Production,Features,Power Supply: VDD, VDDQ = 1.5 V ± 0.075 V,Double Data Rate architecture: two data transfers per clock cycle,Eight internal banks for concurrent operation,8 bit prefetch architecture?,CAS Latency: 6, 7, 8,?9,10,11 and?13,Burst Length 8(BL8) and burst chop 4 (BC4) modes: fixed via mode register (MRS) or selectable On-The-Fly (OTF),Programmable read burst ordering: interleaved or nibble sequential,Bi-directional, differential data strobes (DQS and /DQS# ) are transmitted / received with data,Edge-aligned with Read data and center-aligned with Write data,DLL aligns DQ and DQS transitions with clock,Differential clock inputs (CK and /CK# )??,Commands entered on each positive CK edge, data and data mask are referenced to both edges of a differential data strobe pair (double data rate),Posted CAS with programmable additive latency (AL = 0, CL - 1 and CL - 2) for improved command, address and data bus efficiency,Read Latency = Additive Latency plus CAS Latency (RL = AL + CL),Auto-precharge operation for read and write bursts,Refresh, Self-Refresh, Auto Self-refresh (ASR) and Partial array self refresh (PASR),Precharged Power Down and Active Power Down,Data masks (DM) for write data,Programmable CAS Write Latency (CWL) per operating frequency,Write Latency WL = AL + CWL,Multi purpose register (MPR) for readout a predefined system timing calibration bit sequence,System level timing calibration support via write leveling and MPR read pattern,ZQ Calibration for output driver and ODT using external reference resistor to ground,Asynchronous RESET# pin for Power-up initialization sequence and reset function,Programmable on-die termination (ODT) for data, data mask and differential strobe pairs,Dynamic ODT mode for improved signal integrity and preselectable termination impedances during writes,2K Byte page size,Interface: SSTL_15

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W955N8MBYA5I TR

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其他存储器

32MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND TE

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