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关于LITTELFUSE

LITTELFUSE

Littelfuse (NASDAQ: LFUS) - 作为电路保护领域的全球领导厂商,Littelfuse 的产品品牌包括 POWR-GARD®、Teccor®、Wickmann®、Pudenz®、Hamlin®、PulseGuard® 和 SIDACtor®,以及覆盖广泛的技术,如保险丝及配件、PTC、GDT、变阻器、聚合物 ESD 抑制器、浪涌保护模块、TVS 二极管、TVS 二极管阵列(SPA® 二极管)、开关晶闸管、电源模块、LED 保护器、SIDACtor® 保护晶闸管,以及簧片开关、继电器和霍尔效应传感器。 Littelfuse 产品背后依托行业领先的、超过 88 年的技术创新、技术支持、设计和制造经验。 Littelfuse 产品几乎对于所有使用电能的产品来说都是至关重要的,具体产品包括汽车、计算机、消费电子、手持设备、工业设备和通信/数据通讯电路。
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KLSR090
型号:
KLSR090
品牌:
力特
产品分类:
保险丝
描述:
KLSR系列RK1保险丝是最早出现的限流型保险丝。 这类保险丝采用一元银质熔断体设计,可提供过载快速熔断和短路保护。 当用于保护诸如电机、螺线管和变压器等电感负载时,KLSR系列保险丝的尺寸规格必须加大,以防止其在出现无害的高突入电流时熔断。 在此类应用中,KLSR系列保险丝仅可提供短路保护。, 如需在新应用中采用具有UL RK1类限流保险丝特性的保险丝,或在现有应用中取代易在产生无害系统浪涌时(如电机启动电流)断开的快熔型RK1或RK5保险丝,我们建议使用POWR-PRO™ LLNRK/LLSRK系列RK1双元延时保险丝。,应用 ,: , , , 电阻加热器 , , 照明电路 , , 非电感负载 , , 当Littlefuse KLNR/KLSR RK1类保险丝进行“系列定值”时,模制外壳断路器负载中心和面板增大了断流额定值。 请参见配电板生产商关于UL认证保险丝和面板组合的说明文献。 可提供最高200,000安培的系列额定值。 , ,安全性 ,: , , , 200,000 A.I.R.——可对高达200,000安培的所有过流进行断路保护。 , , 极佳的限流功能——阻止短路电流损害的速度比任何其他机械保护装置更快。 , , 快熔——提供快熔保护,适用于变速驱动器、整流器以及其他含有浪涌敏感型产品的设备。 , ,延长设备使用寿命 ,: , , , 限流设计降低了短路电流热磁效应对设备造成的危害。 , ,经济性 ,: , , , 极佳的限流性能——使设备更易使用,同时降低了设备成本。 , , 快熔型KLNR/KLSR保险丝作为变速驱动器和整流器等浪涌敏感型产品的输入或输出保险丝,可防止用于保护独立元件的贵重半导体保险丝发生熔断。 , ,操作简单 ,: , , , 200,000的A.I.R额定值将对短路计算的需要降至最低。 , ,尺寸规格 ,: , , , 关于KLNR的尺寸规格请参考FLNR;KLSR尺寸规格请参考FLSR。 ,
L50S030
型号:
L50S030
品牌:
力特
产品分类:
保险丝
描述:
Littelfuse半导体保险丝设计用于保护目前生产的设备和系统,它采用了由Littelfuse自主研发的技术,为精确性、质量一致性、可靠性和可预测性能设立了未来标准。 Littelfuse的工程技术人员运用高级冶金、聚合物和材料研究、数学建模以及计算机统计分析等手段,重新定义了“尖端”概念。, ,应用, 专门设计用于为硅控整流器(SCR)、二极管、晶闸管、三端双向可控硅开关组件、晶体管等半导体元件和类似的固态装置提供辅助保护。 此类装置可应用于变速驱动器、电力整流器、UPS系统、直流电源等电源设备及各类电子设备。 也可用于需要非延时、特快熔断型限流保险丝的应用场合。, ,安全性, , , 200,000安培中断额定值 - 中断性能可靠,可为高达200,000安培的所有过电流提供保护...满足目前和未来的系统要求。 (注 ,: , L15S系列的中断额定值为100,000安培 , , 极大电流限制 - I2t值和峰值允通电流低,可满足大多数半导体要求。 , , UL认证 - Littelfuse半导体保险丝已通过Underwriters Laboratories, Inc.的组件程序认证,并带有认证标记。 通过UL认可的半导体保险丝可为列入UL认证目录的设备提供辅助保护。 , , ,延长设备使用寿命, , , 低功耗 - 意味着在电路中产生的热量更少,功率损耗更小。 , , 受控瞬态过压 - 所有电路在故障电流中断期间都会承受瞬态过压。 这种瞬态过压(电弧电压)在保险丝熔断体熔断或断路器接触产品时出现,电路中断时消退。 半导体对过电压非常敏感。 Littelfuse半导体保险丝的设计可将瞬态过压保持在较低水平,并且有助于降低半导体故障率。 ,
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