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深圳市华科半导体有限公司坐落于深圳市宝安区福永镇凤塘大道50号鑫龙科技园。公司主要从事功率MOS管、肖特基二极管、快恢复二极管、功率三极管、可控硅等系列产品的研发与生产，产品广泛应用于适配器、LED驱动电源、手机充电器、开关电源、电子镇流器、电子变压器等领域。

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道

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2.160704

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道

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肖特基二极管

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道

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肖特基二极管

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正向压降（Vf）：- 直流反向耐压（Vr）：- 平均整流电流（Io）：-

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：23W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道

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