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南京江智科技有限公司是一家专注于半导体功率器件设计生产与销售的企业。公司产品以技术和市场的需要为导向，在中、低压MOS产品市场中，占有很大的份额。

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：340mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道

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其他晶体管

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道

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产品分类：

肖特基二极管

20uA@8V 10V Single 3A 0.6V@1A SOD

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

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