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关于FIRST SEMI

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福斯特集团（FIRST SEMI），2010年成立于美国佛罗里达，总部设立在中国深圳，公司是一家集半导体芯片研发、方案设计、封装制造、测试编带、产品销售为一体的国家级高新技术企业。产品广泛应用于无人机、机器人、笔记本电脑、液晶电视、手机、智能穿戴、家电、通讯设备、照明应用、汽车电子等诸多领域。

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福斯特半导体

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tj) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tj) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250A 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：145W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：420mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：239W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.8V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道

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