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关于CYSTEK（CYSTECH）

							CYSTEK（CYSTECH）
						

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A,3.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 3.5A,4.5V;105mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道和P沟道

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0.810264

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道

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0.583848

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

整流器-单体

Fast Recovery Rectifiers

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：73mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：16.8mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.6A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道

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2.80476

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：14V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：56.5mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道

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0.31164

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳
1.11777

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道

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0.706384

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

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0.842488

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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MTC3585G6-0-T1-S

产品分类：

FET/MOSFET 单体

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3A 6-Pin TSOP

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整流器-单体

Fast Recovery Rectifiers

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整流器-单体

Fast Recovery Rectifiers

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：560mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 1mA 漏源导通电阻：400mΩ @ 300mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

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0.394744

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道

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