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关于CYSTEK（CYSTECH）

							CYSTEK（CYSTECH）
						

全宇昕科技股份有限公司是功率元件研发与全球供应的领先台湾公司之一。在功率器件领域, 公司拥有超过17年的设计经验与25年的制造经验, 借由严格控制生产流程, 高品质产品已广泛应用于计算机，消费类电子，通讯和工业领域。

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.3A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道

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2.05269

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A,3.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 3.5A,4.5V;105mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道和P沟道

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0.810264

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道

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0.583848

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

整流器-单体

Fast Recovery Rectifiers

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MTC3585G6-0-T1-S

产品分类：

FET/MOSFET 单体

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3A 6-Pin TSOP

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整流器-单体

Fast Recovery Rectifiers

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产品分类：

整流器-单体

Fast Recovery Rectifiers

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：560mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 1mA 漏源导通电阻：400mΩ @ 300mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

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0.394744

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.25W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 6.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A,3.6A 漏源电压（Vdss）：14V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 5A,4.5V;60mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：N沟道和P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

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0.842488

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.6A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道

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2.80476

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

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1.11777

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：73mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：16.8mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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