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华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，以及特殊制程的IC Design in House。产品广泛应用于计算机，消费类电子，通讯电源，锂电等新能源产业。

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道

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1.43273

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：630mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.35W 类型：P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：68mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道

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1.545615

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A,-3.7A 漏源电压（Vdss）：60V,-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 4A,10V,70mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道和P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：101W 类型：P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41.7W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：48A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：56W 类型：N沟道

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