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关于PIP-SEMI

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PIP-Semi成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司。公司研发团队来自仙童、IR、TFSS，自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工和封装测试工艺技术。公司开发和生产VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品，广泛应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：85W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.15Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：73W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：550mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540W(Tc) 类型：N沟道

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