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苏州达晶微电子有限公司主要从事IGBT、MOSFET、FRD、TVS、SBD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案。本部设立在苏州，在深圳、上海、长沙、台北、韩国设有销售办事处。公司秉承“绿色设计、绿色制造”的使命，致力于成为全球领先的电力电子器件研发及制造商，以及电力电子创新解决方案提供商。

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：5.8V 击穿电压（最小值）：6.45V 峰值脉冲电流（10/1000us）：143A 极性：Unidirectional 箝位电压：10.5V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：30.8V 击穿电压（最小值）：34.2V 峰值脉冲电流（10/1000us）：30.1A 极性：Bidirectional 箝位电压：49.9V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：200V 击穿电压（最小值）：224V 峰值脉冲电流（10/1000us）：1.85A 极性：Unidirectional 箝位电压：324V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：200V 击穿电压（最小值）：224V 峰值脉冲电流（10/1000us）：1.23A 极性：Bidirectional 箝位电压：324V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：58.1V 击穿电压（最小值）：64.6V 峰值脉冲电流（10/1000us）：16.3A 极性：Unidirectional 箝位电压：92V

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CESD0603UC5VB-M

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反向关断电压（典型值）：5V (Max) 击穿电压（最小值）：5.5V 峰值脉冲电流（10/1000us）：5A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：20V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：7.78V 击穿电压（最小值）：8.65V 峰值脉冲电流（10/1000us）：44.8A 极性：Unidirectional 箝位电压：13.4V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：111V 击穿电压（最小值）：124V 峰值脉冲电流（10/1000us）：3.4A 极性：Bidirectional 箝位电压：179V

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