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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道

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集电极电流Ic：200mA 额定功率：225mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.38A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.39W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.2A(Tc),18.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 7A,10V;45mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.6W,2.7W 类型：N沟道和P沟道

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