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深圳市谷峰电子有限公司专注于MOSFET的研发、生产和销售。

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：45V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道

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3.80911

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：17W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：20.5mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：P沟道

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0.31164

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.36A,1.15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：370mΩ @ 650mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.12W(Tc) 类型：N沟道和P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：双N沟道

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1.123494

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：580mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道

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1.231084

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：96mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：P沟道

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1.123494

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：190V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：540mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道

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1.177024

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：395mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道

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