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威世
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威世
VISHAY
Vishay 是全球最大的分立半导体器件和被动电子元件制造商之一。Vishay 的产品组合是一个具有无与伦比的分立半导体(二极管、MOSFET 和光电元件)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。 这些组件几乎适用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天和医疗市场中所有类型的工业电子器件和设备。
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Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P...
Vishay确实推出了一款具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100V汽车级P沟道MOSFET,即SQJ211ELP。以下是对这款产品的详细分析:一、产品概述Vishay Siliconix SQJ211ELP是一款专为汽车应用设计的P沟道MOSFET,它提供了100V的DS(漏源)电压等级,并具有出色的导通性能和可靠性。该产品通...
10
2021-01
Vishay推出600 V EF系列快速体二极管MOSFET,为功率转换应用提供...
Vishay推出的600 V EF系列快速体二极管MOSFET,确实为功率转换应用提供了业界最低的FOM(Figure of Merit,优值系数)指标。以下是对该系列MOSFET的详细分析:一、产品特点低FOM指标:Vishay的600 V EF系列MOSFET通过降低导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg),实现了业界最低的FOM...
20
2020-12
Vishay推出新型汽车级接近传感器,压力感测分辨率高达20 µm
Vishay推出的新型汽车级接近传感器,其压力感测分辨率高达20µm,这一技术突破为汽车、消费电子以及工业应用等领域带来了显著的优势。以下是对该传感器的详细分析:一、产品概述Vishay推出的两款新型全集成汽车级接近传感器——VCNL3030X01和VCNL3036X01,具有高达20µm的分辨率。这两款传感器将光电二极管、放大器和模数转...
19
2020-12
Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达...
长江存储致钛NVMe 1TB版本SSD以PCIe 4.0技术为核心突破点,在速度、耐用性、兼容性及国产技术自主性方面表现突出,适合追求极致性能的用户选择。以下为具体分析:性能突破:PCIe 4.0速度领跑致钛NVMe 1TB版本SSD(如Ti600系列)搭载PCIe 4.0接口,顺序读取速度高达7000MB/s,写入速度达5000MB/s...
23
2020-10
Vishay推出小型铝电容器,可提高系统设计灵活性,并节省电路板空间
Vishay推出的小型铝电容器(如170 RVZ系列、172 RLX系列、257 PRM-SI系列等)通过优化设计显著提升了系统设计的灵活性和电路板空间利用率,以下为具体分析:设计灵活性提升低阻抗与高纹波电流特性170 RVZ系列:阻抗降低10%-15%,纹波电流提高至3.8A,支持更少元器件实现同等性能,适配多电压场景。172 RLX系...
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2020-10
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