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碳化硅二极管的功率器件有哪些优势或劣势吗
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碳化硅二极管的功率器件具有一系列的优势，但同时也存在一些劣势。优势：高温可靠性：碳化硅材料具有宽禁带和高本征温度，使得碳化硅二极管能够在高温环境下保持稳定的性能。这使得碳化硅二极管特别适用于高温工作环境，如汽车发动机舱、工业炉等。高效率：碳化硅二极管具有低电容电荷和低顺向电压，这有助于降低切换损耗，提高系统的效率。特别是在高频应用中，碳化......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二极管的功率器件和硅二极管有什么区别
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碳化硅二极管与硅二极管在功率器件的应用中存在显著的区别，主要体现在以下几个方面：材料特性：碳化硅二极管采用碳化硅材料，这种材料具有高硬度、高热导率、高熔点、宽禁带和高临界击穿场强等优异的物理和化学性质。这使得碳化硅二极管在高温、高频、高功率应用中具有更好的性能。而硅二极管则主要基于硅材料，虽然硅材料也具有良好的半导体特性，但在高温和高频应......
碳化硅二...
2024-05-07
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氮化镓功率器件有那些
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氮化镓功率器件有那些氮化镓功率器件是一类在射频（RF）和微波领域中广泛应用的器件，它们利用氮化镓（GaN）半导体材料制造而成。这些器件通常具有高功率密度、高频率、高工作温度和高效率等特点。以下是一些常见的氮化镓功率器件：氮化镓场效应晶体管（GaN FET）：GaN FET是氮化镓器件家族中的主力，用于放大和控制微波和射频信号。它们在通信、......
氮化镓功...
2024-04-24
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碳化硅功率器件的有那些
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碳化硅功率器件的有那些碳化硅（SiC）功率器件是一类高性能功率半导体器件，具有许多优点，如高温特性、高频特性、高功率密度和低开关损耗等。以下是一些常见的碳化硅功率器件：碳化硅场效应管（SiC FET）：碳化硅场效应管是一种常见的功率开关器件，可用于高频开关电源和逆变器应用。它们具有快速的开关速度和较低的导通和开关损耗。碳化硅金属氧化物半导......
碳化硅功... 功率器件
2024-04-24
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半导体功率器件有哪些
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半导体功率器件有哪些半导体功率器件是用于控制电流和电压的器件，常见的有：晶闸管（SCR）：用于高功率、高电流的交流电控制，例如变频调速、电力调节等。二极管整流器（Rectifier Diode）：用于将交流电转换为直流电，例如电源适配器、整流桥等。场效应晶体管（FET）：包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和栅极极间隔沟道型场......
半导体功... 功率器件
2024-04-24
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功率器件和芯片区别
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功率器件和芯片区别功率器件和芯片在电子领域中扮演着不同的角色，它们的设计和用途也有所不同。功率器件：定义：功率器件通常是指用于控制电流或电压的电子元件，其主要目的是在电路中传输、控制或转换电力。用途：功率器件通常用于需要处理高功率信号或大电流的电路中，比如电源系统、电机驱动器、逆变器等。它们能够承受高电压、高电流，并且在各种环境条件下稳定......
功率器件 芯片
2024-04-24
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碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术
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碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术碳化硅（SiC）功率器件是一类广泛应用于电力电子、汽车电动化、光伏逆变器等领域的先进半导体器件。它们的特性、测试和应用技术如下：特性：高温特性：SiC器件能够在高温环境下工作，具有更高的热稳定性和耐受性。高频特性：SiC器件具有较高的开关频率和更低的开关损耗，适用于高频应用。低导通损耗：相较于传统硅器件......
碳化硅功...
2024-04-07
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碳化硅功率器件与igbt的不同
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碳化硅功率器件与igbt的不同碳化硅（SiC）功率器件和绝缘栅双极晶体管（IGBT）是两种常见的功率半导体器件，它们在功率电子领域有着不同的特点和应用。以下是它们之间的一些主要区别：材料：碳化硅（SiC）器件：SiC器件采用碳化硅作为半导体材料。碳化硅在高温和高电压下表现出色良好的电特性，包括较高的击穿场强、热导率和稳定性。IGBT器件：......
碳化硅功... IGBT
2024-04-07
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如何使用GaN功率器件(EPC2065和EPC9167)打造卓越的中档电机逆变器
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　　作者：Bill Schweber　　推动更有效地利用能源、更严格的监管要求以及冷却器运行的技术优势都支持了最近减少电动机功耗的举措。虽然硅 MOSFET 等开关技术很普遍，但它们通常无法满足关键逆变器应用更苛刻的性能和效率目标。　　相反，设计人员可以使用氮化镓 (GaN) 来实现这些目标，氮化镓是一种宽带隙 (WBG) FET 器......
GaN功... 电机逆变... EPC2...
2024-03-07
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如何选择和开始使用功率器件驱动器
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　　作者：Bill Schweber　　所有的分立式开关功率器件都需要驱动器，无论这些器件是分立式金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 还是模块。驱动器是系统处理器的低电压、低电流输出端与开关器件之间的接口元件或“桥梁”，前者在受控的良好环境中运行，而后者则在恶......
功率放大... 分立式开... 栅极驱动...
2023-09-07
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功率器件原厂萨科微(SLKOR)入驻拍明芯城
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深圳市萨科微半导体有限公司，技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，掌握国际领先的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列，用于工业和军工产品有：碳化硅SiC二极管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢复功率二极管等，满足新能源汽车、高端......
萨科微 SLKO...
2023-05-25
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氧化镓，新一代功率器件半导体材料
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　　在过去的十年中，氧化镓的技术发展迅速，将其推向半导体技术的前沿。主要的目标应用领域是电力电子，其中氧化镓的固有材料特性 - 高临界场强，广泛可调的导电性，低迁移率和基于熔体的体积增长 - 有望以低成本提供所需的高性能。　　为了最大限度地发挥新型半导体技术的潜力，业界必须齐心协力解决阻碍性能的技术障碍。在以下领域取得了重大的技术进步 ......
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2022-12-20
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新能源汽车空调压缩机驱动器与功率器件设计选择
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　　在车里面我们把热管理做了一些归类，首先是一个冷源或者是热源的压缩器件，另外就是各种阀门的控制。很多专家讲过，三通、四通甚至五通的阀，把冷热进行交换，得到最终需要的温度。实际上从传统的车里面可以看到，在进行冷热交换的时候，它需要相应的控制逻辑与算法，执行机构是靠阀门来控制的，核心算法会涉及热管理架构问题。　　1.2　　热管理系统电气平台......
压缩机驱...
2022-05-18
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Syndion GP：赋能先进功率器件的未来
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　　上周，泛林集团发布了Syndion G系列产品的新成员——全新Syndion® GP。在本周的微信中，泛林集团客户支持事业部Reliant系统产品副总裁Evan Patton将为大家讲述该产品的开发背景。Syndion GP　　最近，智能手机、笔记本电脑、游戏机和其他我们喜欢用的设备所使用的逻辑芯片和存储芯片可能正占据着诸多新闻头条......
功率器件 电饭煲 逻辑芯片
2021-12-21
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比亚迪半导体新款功率器件驱动芯片自主研发告成
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　　12月14日，比亚迪半导体官方宣布，成功自主研发并量产1200V功率器件驱动芯片——BF1181，今年12月实现向各大厂商批量供货。　　据介绍，BF1181是一款磁隔离单通道栅极驱动芯片，用于驱动1200V功率器件，同时具有优异的动态性能和工作稳定性，并集成了多种功能，如故障报警，有源密勒钳位，主次级欠压保护等。Source：比亚迪半......
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500W电源控制板（原理图+PCB）
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　　主要用于500W双管正激控制。　　主要用做控制板，来驱动mos,三极管或者IGBT等功率器件　　其他方案需要自行更改......
电源控制... 功率器件
2021-12-14
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泛林集团发布Syndion GP，满足芯片制造商对先进功率器件的需求
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　　北京时间2021年12月8日，泛林集团（纳斯达克股票代码：LRCX）在加利福尼亚州弗里蒙特市发布新产品Syndion® GP，为芯片制造商提供深硅刻蚀技术，以开发新一代用于汽车、电力传输和能源行业的功率器件及电源管理集成电路。　　随着上述领域的技术日趋先进，对芯片更高功率、更优性能和更大容量的需求日益提高，这要求进一步提升更高深宽比......
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2021-12-10
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Microchip持续扩大氮化镓（GaN）射频功率器件产品组合
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　　Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布大幅扩展其氮化镓（GaN）射频（RF）功率器件产品组合，推出频率最高可达20千兆赫（GHz）的新款单片微波集成电路（MMIC）和分立晶体管。这些器件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供......
电子迁移... MMIC... 电压可变...
2021-12-03
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泰克解锁SiC功率器件动态测试系统,在美浦森半导体正式交付
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　　日前，泰克在华南地区首台DPT1000A在深圳美浦森半导体正式交付。DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发，一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。　　DPT1000A功率器件动态参数测试系统专门用于三代半导体功率器件的动态特性分析测试，旨在解决客户在功率器件动态特性表征中常见的疑难问题，包括如何设计高速工作的......
光隔离探... 栅极电阻 芯片温控...
2021-08-20
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利用数字电源和优化功率器件降低数据中心的功率损耗
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　能效已经成为决定电子元件、子系统和系统设计能否取得成功的主要因素之一。过去几年，计算和通信设备制造商一直在内部推动技术规格的发展和在外部向用户宣传这些技术规格，例如计算能力/瓦。而就在几年前，这些公司强调的则是计算能力/欧元。　　迅速向提高效率发展的基本原因如下：　　（1）制定了欧盟行为准则、能源之星等节能技术规范，并且得到了市场认可；......
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2021-08-16
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