高通(Qualcomm)于2017年国际消费电子展(CES)，发布首款10纳米FinFET制程的移动平台--Snapdragon 835处理器，具备高省电能力，可让顶级消费者终端装置实现新一代的娱乐体验及联网云端服务，这些装置包括智慧型手机、虚拟实境与扩增实境(VR/AR)头戴式显示器、IP网路摄影机、平板电脑、移动式个人电脑。

高通技术执行副总裁暨QCT总裁Cristiano Amon表示，新款旗舰Snapdragon 835处理器具有高效电池续航力、更丰富的多媒体表现、出色的摄影功能与Gigabit等级的传输速度，能满足移动式虚拟实境与全面联网的严格要求所设计，实践快速且沉浸式的体验，有助厂商打造各种轻薄的移动装置。

Snapdragon 835集结了高传输连接能力、沉浸式体验、流畅的光学变焦和快速自动对焦技术、安全、省电与机器学习等功能于一身，为高端移动装置提供一套完整的解决方案。

在连接效能部分，该处理器提供支援Gigabit等级LTE连结的整合式X16 LTE数据机、整合式2×2 802.11ac Wave 2 Wi-Fi与Bluetooth 5等不同类型的联网元件，另外亦可选配能让产品支援数千兆位元等级传输率的802.11ad。

在沉浸式体验上，Snapdragon 835则可支援Google Daydream装置，实践高品质的移动VR平台，强化视觉与音效品质、直觉互动等功能，包括可高达25%的3D绘图着色效能，以及透过Adreno 540视觉处理子系统支援可高达60倍的彩度提升。

除此之外，该处理器针对高通Adreno视觉处理子系统进行大幅的改良，包括新的Adreno 540 GPU与高通Spectra 180影像讯号处理器(ISP)，可强化静态影像与动态影片的拍摄经验，并透过流畅的光学变焦功能及快速自动对焦技术，与运用感知量化录影技术，呈现栩栩如生的高动态范围色彩，提升影像拍摄效能。

针对安全性议题部分，新款处理器新增高通Haven安全平台，能针对生物辨识与装置验证提供更严密的防护。高通Haven安全平台支援指纹、瞳孔与脸部等的生物辨识，包括基于硬体的使用者身分验证、装置验证、装置安全等功能，以支援移动支付、企业门禁，以及使用者个人资料等使用情境下的移动装置安全性。

更值得一提的是，新款处理器还支援Google TensorFlow机器学习系统，透过Hexagon Vector eXtentions(HVX)向量扩充强化对Hexagon DSP的支援，其中包括支援客制化类神经网路层，更优化了Snapdragon异质核心的功耗与效能。

Qualcomm开始提供全球首款10纳米服务器处理器

2016年12月7日，圣迭戈——Qualcomm Incorporated（ NASDAQ: QCOM）通过其子公司 Qualcomm Datacenter Technologies, Inc.（QDT）于今日宣布提供全球首款10纳米服务器处理器商用样片，并进行了现场演示。作为 Qualcomm Centriq™ 产品家族的首款产品， Qualcomm Centriq 2400 最高可配置48个内核，并采用最先进的10纳米FinFET制程技术制造而成。 Qualcomm Centriq 2400 系列主打 QDT 的 ARMv8 可兼容定制内核—— Qualcomm® Falkor™ CPU。该内核经高度优化，可同时实现高性能与低功耗，专门针对数据中心最常见的工作负载而设计。

本次宣布标志着一项重大成就，将引领行业进入下一代制程工艺，为数据中心提供最前沿、高性能的基于 ARM 架构的服务器处理器。目前云服务客户正在寻求新的服务器解决方案，在满足性能、效率及功耗的同时优化总体拥有成本；而 QDT 在满足这一需求方面具有独特优势。 QDT 的目标是利用ARM生态系统提供创新的服务器 SoC （系统级芯片），为客户在高端服务器处理器领域提供新选择，以此重塑数据中心计算的未来格局。

Qualcomm Technologies 高级副总裁兼 Qualcomm Datacenter Technologies （QDT）总经理阿南德·钱德拉塞卡尔表示： “Qualcomm Centriq 2400 系列处理器将推动高性能、高能效的 ARM 架构服务器从概念阶段迈向实际应用。Qualcomm 需要最前沿的集成电路技术为最新的旗舰智能手机提供高性能与低功耗。我们已率先在移动领域采用10 纳米集成电路技术；同时利用我们在 ARM 处理器和系统级芯片设计方面的专长，通过 Qualcomm Centriq 服务器处理器家族首次将最前沿的制程技术带到数据中心领域。”

此外，QDT 还演示了在 Qualcomm Centriq 2400 处理器上运行基于 Linux 和 Java 的 Apache Spark 和 Hadoop。Qualcomm Centriq 2400 处理器系列目前已经向主要的潜在客户提供样品，并预计在2017年下半年实现商用。

关于Qualcomm

Qualcomm 的技术驱动了智能手机的变革，将数十亿人连接起来。我们在3G和4G当中作出了开创性的贡献，现在正在引领5G之路，迈向智能联网终端的新时代。我们的产品正在变革汽车、计算、物联网、健康医疗等行业，并支持数以百万计的的终端以从未想象的方式相互连接。Qualcomm Incorporated 包括技术许可业务（QTL）和我们绝大部分的专利组合。Qualcomm Technologies, Inc.（QTI）是 Qualcomm 的全资子公司，与其子公司一起运营我们所有的工程、研发活动以及所有产品和服务业务，其中包括我们的半导体业务 QCT，和移动、汽车、计算、物联网及健康医疗业务。

骁龙835

骁龙835是高通下一代骁龙处理器，高通骁龙835芯片将在2017年初发布，支持Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm制造工艺打造。

性能

制程工艺

高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。

2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。

核心

骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为

Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。

快速充电

新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。

Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，适配范围更广泛。 

效率提升

高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。

更高的内存带宽

骁龙835会率先支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存，带宽提升明显。