随着社会的发展，电源的种类日新月异，在某些应用场合对电源的要求越来越高，比如用于电镀电解、阳极氧化、感应加热、医疗设备、电力操作、电力试验、环保除尘、空气净化、食品灭菌、激光红外、光电显示等领域的特种电源。为了进一步满足消费市场的特殊需求，电源的性能也亟需改进，对电源性能的改进，电源中的功率元器件发挥着至关重要的作用，CREE做为全球领先的碳化硅肖特基二极管和MOSFET制造商。其覆盖的碳化硅MOS方案凭借其优良的性能，可以给电源带来更高开关频率，更高的系统效率，同时降低系统的尺寸和重量，并能够使电源更能适应恶劣环境的影响。

　　功率半导体元器件领导厂商CREE推出了一系列的N沟道增强型碳化硅功率MOSFET，该系列MOS采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造，具有超高耐压，低导通阻抗的特点，相关产品型号如表1所示。具体型号购买和相关产品设计信息，可联系CREE代理商。

　　表1 ：CREE N沟道增强型碳化硅功率MOSFET产品

　　以C2M0080120D为例，该器件漏极-源极之间的最高电压可达1200V，其导通阻抗的典型值为80mΩ，额定电流ID在25℃时为36A，其推荐栅源电压VGS为-5/+20V，可以安全的保证MOSFET的开通与关断。C2M0080120D的低寄生电容确保其具有高开关速度，工作频率可达1MHz。此外，C2M0080120D通过简单的设计即可并联工作，栅极门限电压典型值为3V，可以轻松的进行驱动操作。下图为C2M0080120D在15kW充电桩的典型应用电路。

【C2M0080120D】

2nd-Generation Z-FET®

1200-V, 80-mΩ, Silicon-Carbide MOSFET

Features

High-speed switching with low capacitances

High blocking voltage with low RDS(on)

Avalanche ruggedness

Resistant to latch-up

Easy to parallel and simple to drive

Halogen-free, RoHS-compliant

Blocking Voltage： 1200 V

Current Rating At 25°C ：36 A

Rds(On) At 25°C： 80 mΩ

Package ：TO-247-3

Gate Charge Total： 49 nC

Maximum Junction Temperature： 150 °C

Lead-Frame Materials ：100% matte, tin solder finish over a copper lead frame

　　图1 ：C2M0080120D在15kW充电桩的典型应用电路

　　该电路拓扑采用维也纳整流升压+全桥LLC逆变+整流，输出直流电给电动汽车充电。用我们1200V SIC MOS做两电平H桥替换原来COOLMOS三电平H桥，替换的优势在于， SIC器件本身具有高频特性，另外开关损耗与导通损耗都很低，从而相比COOLMOS三电平方案，能实现更小的体积以及更高的能效;更为重要的是，两电平控制比三电平控制简单，从而能降低系统成本，缩短研发周期。

　　相关元件供应

　　型号：C2M0080120D                       品牌： CREE

　　型号：C2M0160120D                       品牌：CREE

　　型号：C2M0280120D                       品牌：CREE

　　型号：C2M0025120D                       品牌：CREE

　　型号：C2M0040120D                       品牌：CREE

　　MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

　　一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

　　场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。