原标题：650V GaN FET 采用表面贴装封装

　　TP65H050G4BS 是一款采用 TO-263 (D2PAK) 封装的 650V、50mΩ 器件，将 Transphorm 的 SuperGaN FET 产品组合扩展到更高功率的系统。工程师可以在需要更高功率和表面贴装封装的地方使用 TP65H050G4BS，从而实现比 PQFN 类型封装更好的热性能。它还通过使用单一制造流程提高了 PCB 组装的效率。

　　符合 JEDEC 标准的部件适用于数据中心和工业应用中通常使用的高功率(单千瓦至多千瓦)系统。基于该公司的第四代 SuperGaN 技术，TP65H050G4BS 提供最大 ±20 V 的栅极稳健性和 4 V 的抗噪性。总栅极电荷典型值为 16 nC，反向恢复电荷典型值为 120 nC。

　　D2PAK 中的 TP65H050G4BS 可通过分销商 Digi-Key 和 Mouser 购买。它还在垂直子卡上提供，以提高 Transphorm 的TDTTP2500B066-KIT的功率密度，这是一款 2.5 kW AC/DC 无桥图腾柱 PFC 评估板。