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宇瞻科技DDR5-5600嵌入式内存条的介绍、特性、及应用
宇瞻科技DDR5-5600嵌入式内存条的介绍、特性、及应用
宇瞻科技有限公司DDR5-5600嵌入式内存模块采用原装高品质DRAM芯片，内存传输速率高达5600Mbps。DDR5-5600模块采用片上ECC机制，显著增强了DRAM IC的可靠性、可用性和可维护性。DDR5-5600模块是262针或288针双列式内存模块，用于安装在连接器插座上。特性下一代DDR5工业内存模块，内存传输率高达5600......
宇瞻科技 DDR5... 嵌入式内...
2024-01-22
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Cadence LPDDR5X 片上存储器接口IP的工作速度为 8533 Mbps
Cadence LPDDR5X 片上存储器接口IP的工作速度为 8533 Mbp...
　　Cadence LPDDR5X 片上存储器接口IP由经过硅验证的 PHY 和控制器组成，以高达 8533 Mbps 的数据速率运行。新 IP 比上一代 LPDDR IP 快 33%，并具有可扩展且适应性强的架构，可连接到符合 JEDEC JESD209-5B 标准的 LPDDR5X DRAM 设备。它还基于最新的DFI 5.1规范......
LPDD... 片上存储... Cade...
2023-01-05
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Cadence LPDDR5X IP 解决方案面向下一代人工智能、汽车和移动应用
Cadence LPDDR5X IP 解决方案面向下一代人工智能、汽车和移动应用...
　　　　Cadence的LPDDR5X内存IP解决方案由经过硅验证的PHY和控制器组成，旨在连接到遵循JEDEC JESD209-5B标准的LPDDR5X DRAM设备。　　Cadence Design Systems Inc. 的 LPDDR5X 内存接口 IP 设计经过优化，运行速度为 8533Mbps，比上一代 LPDDR IP......
LPDD... 人工智能 内存IP
2022-12-26
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三星推出业界首款速度高达7.2 Gbps的12纳米级DDR5 DRAM
三星推出业界首款速度高达7.2 Gbps的12纳米级DDR5 DRAM
　　三星今天早些时候推出并将于明年进入量产阶段，三星推出的业界首款 12 纳米级 DDR5 DRAM 旨在推动计算、数据中心和人工智能应用的发展。虽然不是最快的芯片，但这些芯片具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高20%。　　　　三星 12 纳米级 DDR5(来源：三星新闻室)　　今年3月，三星推出了7.5 Gbps LPDDR5X......
三星 12纳米 DDR5...
2022-12-22
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ddr5和ddr4的区别
ddr5和ddr4的区别
　　DDR5和DDR4主要在带宽速度、单芯片密度以及工作频率等方面有区别。带宽速度上，DDR5为32GB/s,DDR4为25.6GB/s;；单片芯片密度上，DDR5单芯片的容量为16GB，DDR4单芯片的容量为4GB；工作频率上，DDR5工作频率达4800MHz以上，DDR4最低为1600MHz。具体区别如下：　　1、带宽速度方面：DDR......
DDR5
2022-11-18
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DDR5生态系统随着内存接口组件的增长而增长
DDR5生态系统随着内存接口组件的增长而增长
　　DDR5芯片组解决方案需要能够有效处理数据中心服务器、台式机和笔记本电脑的信号完整性和热管理的内存接口解决方案。Rambus 声称通过使用串联存在检测 (SPD) 集线器和温度传感器设备扩展其 DDR5 内存接口芯片组合来响应号召。　　这补充了公司的注册时钟驱动器 (RCD) 技术，并有望改善 DDR5 双列直插内存模块 (DIMM......
DDR5 内存模块 DDR5...
2022-07-26
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Amphenol FCI DDR5内存模块插槽(SMT)的介绍、特性、及应用
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　　Amphenol FCI DDR5 Memory Module Sockets (SMT)接口符合JEDEC SO-023标准。DDR5垂直DIMM插槽设计用于接受符合JEDEC MO-329标准的DDR5内存模块，并在0.85mm间距上提供288个接点。该系列提供较低的插入力，便于模块卡的插入和提取。Amphenol FCI ......
Amph... DDR5 内存模块...
2022-06-23
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江波龙推出FORESEE商用DDR5内存新品
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”近年来，数据中心基础设施得到了很大的发展与推动。而随着 JEDEC 于 2020 年 7 月 14 日发布了 DDR5 内存标准，标志着全行业也在迅速向新平台转型。为了推动广泛的商业应用，在存储行业拥有 22 年资深经验的江波龙（longsys），也于近日推出了基于 FORESEE 品牌的 DDR5 U-DIMM 产品线。　　DDR......
企业服务... DDR5... 电源管理...
2021-12-27
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美光确认：DDR5 内存 PMIC、VRM 电源芯片双双短缺
美光确认：DDR5 内存 PMIC、VRM 电源芯片双双短缺
　　尽管目前 DDR5 内存已经上市，但是其相对于 DDR4 内存条的价格依旧偏高，16GB 4800MHz 售价高达千元以上。根据外媒 Tom's Hardware 消息，存储大厂美光（Micron）证实，当前 DDR5 内存供不应求，其中与电源相关的 PMIC、VRM 芯片双双短缺，影响到了产能。　　美光预计这些芯片短缺将在......
封闭式电... 电源管理... MLCC...
2021-12-23
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DDR5 内存缺货原因曝光：电源管理芯片 PMIC 紧缺
DDR5 内存缺货原因曝光：电源管理芯片 PMIC 紧缺
　　随着英特尔 Z690 主板和 12 代酷睿 K 系列处理器的上市，各家内存厂商也相继发布了 DDR5 内存，主要型号有 DDR5-4800 标准内存条和和 DDR5-5200、DDR5-5600 等超频内存条。　　目前，市场上的 DDR5 内存条出现了缺货现象，博板堂的消息称缺货的主要原因是 DDR5 内存搭载的电源管理芯片 PMI......
超频内存... DRAM... PMIC...
2021-11-19
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Rambus发布业界首款5600 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），进一步提升服务器存储性能
Rambus发布业界首款5600 MT/s DDR5寄存时钟驱动器（RCD），进...
　　第二代寄存时钟驱动器（RCD）将DDR5数据速率提高17%，同时降低延时和功耗　　· 为服务器主存储器提供5600MT/s DDR5 RDIMM的关键支持　　· 展现了Rambus在下一代服务器DDR5内存接口芯片领域的持续领先地位Rambus 5600 MT/s DDR5 RCD眼图　　作为业界领先的芯片和IP核供应商，致力于使数据......
DDR5... 时钟驱动... 内存接口
2021-11-18
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瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器
瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器
　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，推出支持工业温度等级DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄存时钟驱动器（RCD），面向要求严苛的边缘计算、汽车、工业4.0和5G等应用。　　与通常在0至70ºC温度范围运行的产品相比，新产品可支持最低-40ºC至最高105ºC的温度范围，支持DDR5以5200MT......
寄存时钟... SPD集... 工业温度...
2021-11-05
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澜起科技宣布DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片实现量产
澜起科技宣布DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片实现量产
　　澜起科技宣布其DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片已成功实现量产。该系列芯片是DDR5内存模组的重要组件，包括寄存时钟驱动器 (RCD)、数据缓冲器 (DB)、串行检测集线器 (SPD Hub)、温度传感器 (TS) 和电源管理芯片 (PMIC)，可为DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等内存模组提供整体......
DDR5... 串行检测... 数据缓冲...
2021-11-01
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美光推出全新 Crucial 英睿达 DDR5 内存
美光推出全新 Crucial 英睿达 DDR5 内存
　　Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布，美光 Crucial 英睿达 DDR5 台式电脑（PC）内存产品即将上市，该产品的数据传输速度比上一代 DDR4 内存快 50%，可为主流 PC 用户提供发烧友级别的性能。[7]无论用于商业、学习、创意、互动娱乐还是个人用途，P......
DDR5... 酷睿处理... 电脑处理...
2021-10-29
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三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产
三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产
　　今日，三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。三星首款14纳米DRAM三星首款14纳米DRAM　　“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，三星活跃全球DRA......
企业服务... 超级计算... EUV技...
2021-10-13
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三星宣布2022年底前量产8层TSV技术堆叠的DDR5芯片，传输速度高达7.2Gbps
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　　据韩国媒体《THEELEC》报导指出，三星电子在23 日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33 上宣布，三星电子将于2022 年底开始量产8 层堆叠的DDR5内存芯片。　　据介绍，该8层堆叠的DDR5内存芯片将使用其矽通孔(TSV) 技术，将512GB DDR5 内存模组进一步堆叠起来。而目前该公司已经生产出采用TSV ......
的DDR... 反馈均衡... 记忆体模...
2021-08-30
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宇瞻发布业内首款 DDR5 RDIMM 工业级服务器内存：含温度传感器，最高 32GB
宇瞻发布业内首款 DDR5 RDIMM 工业级服务器内存：含温度传感器，最高 3...
　　根据官方消息，宇瞻于 8 月 19 日宣布推出业界首款 DDR5 RDIMM 工业级服务器内存条，适用于数据中心、高性能工作站等使用。官方表示，该系列内存拥有高可靠性和优秀的能效，有助于提升 AI 与边缘运算的性能。　　宇瞻 DDR5 RDIMM 工业级内存预计将于 2022 年第二季度与英特尔 Intel Eagle Stream......
时钟驱动... 边缘运算 SPD集...
2021-08-27
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三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容量达 DDR4 两倍
三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容量达 DDR4 两倍
　　在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开发具有 8 层 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB 内存模块是可能实现的。　　通过优化封装，三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。由于管芯之间的间隙更小（减少 40%）以及通过实施薄晶圆处理技术......
DDR5... 薄晶圆处... 直通硅通...
2021-08-24
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三星揭晓业内首款单条 512GB DDR5 内存，频率达 7200MHz
三星揭晓业内首款单条 512GB DDR5 内存，频率达 7200MHz
　　随着年底英特尔 12 代酷睿 Alder Lake 系列以及 AMD 下一代 Zen4 处理器的到来，DDR5 内存将步入大众生活，在此之前，各家存储半导体厂商已经开始推广其新一代 DDR5 内存。　　在今日的 HotChips 33 上，AMD 等一众行业巨头均有参会，其中三星便揭晓了业内首款单条 512GB 的 DDR5 内存条......
反馈均衡... Zen4... 专为服务...
2021-08-24
4
应用高带宽示波器表征GDDR5数据抖动，确保有效的数据传输
应用高带宽示波器表征GDDR5数据抖动，确保有效的数据传输
　GDDR5（Graphics Double Data Rate,图形双倍数据速率存储接口，第5版）动态随机存取图形卡存储技术已应用于主流移动和游戏用户的高性能GPU（图形处理器）。的GDDR5 技术可提供5Gb/s或更高的数据速率。高数据速率条件下，数据抖动测量是了解抖动对数据有效窗口影响的重要手段。测量并了解抖动分量可以让设计人员尽可......
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2021-07-12
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