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PANJIT PJMBZ ESD保护二极管设计用于保护敏感设备免受ESD影响并防止闭锁事件。这些二极管是双齐纳ESD/瞬态保护器，具有公共阴极，典型的反向击穿电压范围为5.6V至33V。双器件的组合在单个封装中保护多达两条数据线，提供额外的电路板空间。PJMBZ ESD保护二极管可用于汽车级，主要用于CAN和LIN总线。这些PJMBZ T......
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　　PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)是为电气工程师设计具有更低散热的高性能系统而开发的。快速恢复二极管(FRD)在关断操作时有一些反向恢复电流，在主开关打开时产生额外的开关损失。相比之下，肖特基势垒二极管没有反向恢复电流，因此它可以在更高的开关频率下使用，但它的缺点是由于更高的漏电而导致较低的击穿电压。S......
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2023-03-02
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　　　　PANJIT n通道增强模式mosfet利用沟槽技术来改善产品特性。这些mosfet具有低漏源极电阻和80V漏源极电压。PSMxN08NS1 mosfet是100%雪崩测试，100% rg测试，无铅符合欧盟RoHS 2.0。这些mosfet非常适合用于电池管理系统(bms)，无刷直流(BLDC)电机，SMPS和电信电源系统。　......
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2022-11-23
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　　Panjit 650V n通道超级结mosfet具有低R(DS(ON))和ITO-220AB-F封装中的高速开关。650V mosfet支持280毫欧， 380毫欧， 600毫欧，或900毫欧的R(DS(ON))。此外，mosfet提供4.7A, 7.3A, 10.6A或13.8A电流。100%雪崩和Rg测试Panjit 650V......
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