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低内阻MOS芯片
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本发明公开了一种降低MOS芯片内阻的封装结构及其封装方法，该封装结构包括硅衬底，硅衬底的正面具有形成至少一个MOS管的第一源极、第一漏极和第一栅极，硅衬底的背面形成有对应漏极的盲孔，盲孔内和硅衬底的背面均铺设有一层金属层。该封装结构能够减少MOS芯片漏极的等效电阻的阻值；且通过在MOS芯片背面形成盲孔，有利于增强MOS芯片的强度，通过在盲孔内及MOS芯片背面形成金属层，能够大大提升MOS芯片的散热效果，降低导通时的功耗。该封装方法采用晶圆级先整体封装再切割的工艺，相对于目前的传统封装工艺，整体成本大大降低

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2021-12-13
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