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NTBLS0D7N06C
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安森美半导体的nbls0d7n06c n通道功率MOSFET具有低R特性 (DS(on))，电容和Q (G)尽量减少传导损耗和驱动器损耗。该功率MOSFET降低开关噪声，工作在60V ((BR)DSS)和470A I (D(max))和0.75毫欧R (DS )在10 v。典型的应用包括电动工具，电池操作的真空吸尘器，无人机/无人机，材料......
安森美半... NTBL... MOSF...
2021-11-08
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