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Analog Devices公司EVAL-LTC7891-AZ评估板采用LTC7891 100V降压同步GaN场效应管控制器。LTC7891专门设计通过内部优化的自引导开关和智能死区时间控制，安全轻松地驱动高达100V的GaN场效应管。分栅驱动器允许很容易地调节fet的接通和关断。此外，该IC具有低IQ，高达3MHz可编程/同步开关频率，......
LTC7... GaN场... EVAL...
2024-01-30
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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)场效应管的介绍、特性、及应用
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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于独特的“级联编码”电路配置的1200V, 23毫欧器件。在这种配置中，一个常开的SiC JFET与一个Si MOSFET一起封装，产生一个常关的SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换Si igbt, Si超级结器件或SiC......
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2024-01-24
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场效应管测量（静态特性测量、动态特性测量、频率响应测量和温度特性测量）
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摘要场效应管是一种重要的电子元器件，广泛应用于各种电路中。准确测量场效应管的性能参数对于设计和优化电路至关重要。本文将从四个方面对场效应管测量进行详细阐述，包括静态特性测量、动态特性测量、频率响应测量和温度特性测量。一、静态特性测量静态特性是指在直流工作条件下，场效应管的关键参数如漏极-源极电流（IDSS）、漏极-源极开路电压（VGS(o......
场效应管
2023-08-28
17
场效应管参数大全(基本参数、静态参数、动态参数、温度参数)
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摘要场效应管是一种重要的电子元器件，广泛应用于各种电路中。本文将围绕场效应管参数大全展开详细阐述，从四个方面进行分析和讨论。一、基本参数场效应管的基本参数包括栅极-源极截止电压VGS(off)、漏极-源极饱和电压VDS(on)、最大漏源间导通电阻RD(on)等。这些参数对于场效应管的工作状态和性能具有重要影响。VGS(off): 栅极-源......
场效应管
2023-08-28
21
场效应管的工作原理
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摘要内容一、场效应管的结构和工作原理场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三端器件，由栅极、漏极和源极组成。它的工作原理基于电场控制电流的特性。FET有两种常见类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和JFET（结型场效应晶体管）。MOSFET是最常用的类型，其结构包括一个绝缘层、一个金属栅......
场效应管
2023-08-28
10
场效应管的作用
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摘要场效应管是一种重要的电子元器件，具有广泛的应用领域。本文将从四个方面对场效应管的作用进行详细阐述。一、基本原理场效应管是一种三端口器件，由栅极、漏极和源极组成。其工作原理是通过控制栅极电压来改变漏源间导通状态，实现信号放大或开关控制功能。首先介绍N沟道MOSFET（NMOS）和P沟道MOSFET（PMOS）两种类型的场效应管。NMOS......
场效应管
2023-08-28
11
效应管功放电路图
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摘要：本文主要介绍了场效应管功放电路图的设计原理和应用。首先，对场效应管功放电路图进行了简单概述。然后，从四个方面详细阐述了场效应管功放电路图的设计和使用方法。这四个方面分别是：1、场效应管的基本原理；2、功率放大器的设计；3、保护电路的设计；4、输出滤波器的选择与调整。1、场效应管的基本原理在这一部分中，我们将介绍场效应管（FET）工作......
效应管 功放电路
2023-08-28
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场效应管参数,场效应管的基本概念和作用、输入电容、输出电容、增益和截止频率
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摘要：本文主要围绕场效应管参数展开讨论，分为四个方面进行详细阐述。首先介绍了场效应管的基本概念和作用，然后从输入电容、输出电容、增益和截止频率四个方面对场效应管参数进行了详细解释。最后对文章内容进行总结。1、基本概念场效应管是一种三端器件，由栅极、漏极和源极组成。它通过控制栅极与源极之间的电压来调节漏极与源极之间的电流。2、输入电容输入电......
场效应管
2023-08-28
5
什么是场效应管?场效应管的工作原理?场效应管和mos管区别?
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　　什么是场效应管?场效应管的工作原理?场效应管和mos管区别?　　场效应管(Field-Effect Transistor，简称FET)是一种重要的半导体器件，用于控制电流流动的元件。与双极型晶体管(如普通的NPN型和PNP型晶体管)不同，场效应管的电流流动是通过控制一个外部电场的形成来实现的。　　场效应管有多种类型，其中最常见的包括金......
场效应管
2023-08-11
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mode GaN场效应管的介绍、特性、及应用
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　　ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V e模氮化镓(GaN)场效应管利用低导通电阻和高速开关来实现功率转换效率和减小尺寸。高可靠性的GNP1 fet内置ESD保护和良好的散热，便于安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。　　特性　　650V e型GaN场效应管　　低ON电阻　　高速开关　　内置ESD......
ROHM 场效应管 GNP1
2023-07-06
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场效应管参数大全
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　　场效应管参数大全　　场效应管(Field-Effect Transistor，简称FET)是一种重要的电子器件，常用于放大、开关和调节电流等应用。下面是场效应管常见的一些参数：　　静态参数：　　漏极-源极饱和电流(IDSS)：在栅极-源极电压为零时，漏极-源极之间的饱和电流。　　静态漏极电流(ID)：栅极-源极电压为零时，漏极电流的......
场效应管
2023-06-27
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场效应管参数怎么看
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　　场效应管参数怎么看　　场效应管(Field-Effect Transistor，简称FET)是一种重要的电子器件，其参数对于电路设计和性能评估非常重要。以下是一些常见的场效应管参数以及如何理解和评估它们的方法：　　阈值电压(Threshold Voltage)：阈值电压是指当FET导通时，控制极(Gate)与源极(Source)之......
场效应管
2023-06-26
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场效应管功放电路图大全
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　　场效应管功放电路图大全　　场效应管功放电路是一种常见的放大器电路，使用场效应管(FET)作为放大元件。它通常由以下几个部分组成：　　信号输入部分：通常使用耦合电容将输入信号与放大电路连接。这个部分可能还包括调整输入信号电平的电阻网络。　　偏置电路：为了使场效应管工作在适当的工作点，需要一个偏置电路来提供恒定的直流偏置电压。这通常涉及使......
场效应管
2023-06-25
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场效应管IRF3205中文资料：规格参数、特点、应用、引脚图、替代型号及应用电路图
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　　　　2-6路输出（F1-F6）+1路总输出（M），多频道（16-64个），多地址（1个亿），学习对码，用户可自行更换发射器 。发射器采用锂电池供电并配充电器。　　　　　　　　主要特性：　　•2-6路输出（F1-F6）+1路总输出（M）　　•多频道（16-64个），多地址（1个亿）　　•学习对码，用户可自行更换发射器　　•发射器采用锂......
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2022-05-18
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　　Nexperia的半桥(高边和低边)mosfet系列采用节省空间的LFPAK56D封装格式。与双mosfet相比，这些mosfet在三相电机控制拓扑中占用的PCB面积较低30%，因为在生产过程中可以去除PCB轨迹，同时允许简单的自动化光学检查(AOI)。LFPAK56D半桥采用了现有的大容量LFPAK56D组装工艺，具有可靠的汽车可靠......
Nexp... LFPA... 场效应管
2022-05-13
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MOS场效应管（MOSFET）厂商排行榜，看看七大品牌你熟悉的有哪些？
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对元器件行业有所了解的朋友相信对MOSFET这个词并不陌生，它是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor的英文缩写，看着是很长的一串单词也难识全，可以理解为金属氧化物合成半导体的场效应晶体管，我们通常也称它为MOS场效应管，也即金属-氧化物-半导体型场效应管，它是一种绝缘栅型。由于......
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基于OP467运算放大器+场效应管IRF840的高压驱动电源电路设计方案
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　　众所周知，压电陶瓷的驱动电源技术已成为非常重要应用技术之一，它除了体积小，分辨率高，响应快，推力大等一系列特点，同时，用它制成的压电陶瓷驱动器广泛应用于微位移输出装置、力发生装置、机器人、冲击电机、光学扫描等重要领域。目前，国内常见的压电陶瓷器件主要基于静态特性，因此该类压电陶瓷驱动电源动态特性不理想，交流负载能力差，不适合应用于动态......
OP46... IRF8... 驱动电源...
2021-06-10
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ROHM AEC-Q101汽车mosfet提供宽驱动类型和从小信号到高功率的支持。这些mosfet可用于广泛的微型封装，并有助于减少板的空间。AEC-Q101 mosfet是汽车支持的产品，基于标准AEC-Q101。这些mosfet提供高速开关和低导通电阻。AEC-Q101 mosfet有单极性和双极性，提供-100V(DSS)到10......
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2021-05-19
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Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行
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　　基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须......
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