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SiC驱动器
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SiC MOSFET比Si IGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机(PMSM)驱动器的开关损耗,缩短死区时间和提高开关频率.针对1kW PMSM,对功率器件分别采用Si IGBT和SiC MOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析.设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗,效率,散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiC MOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率,功率密度和更好的动态性能.

意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器采用窄型 SO－8 封装可节省空间
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　　意法半导体的 STGAP2SiCSN是为控制碳化硅 MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体 SO-8 封装，具有稳健的性能和精确的 PWM 控制。　　SiC 功率技术被广泛用于提高功率转换效率，SiC驱动器STGAP2SiCSN可以简化节能型电源系统、驱动和控制电路的设计，节省空间，并增强稳健性和可靠性。目标应用......
电动汽车... SiC驱... 高压功率...
2021-10-21
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