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低隔离电容
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减小在硅衬底上形成的电容的方法.电容具有做在硅衬底表面上的二氧化硅层作为其介质材料.该方法包括将氢原子引入所述表面一部分的步骤,以增大该表面部分的介电常数,增加介质材料的有效厚度因此降低所述电容.该方法包括形成厚度大于2nm的二氧化硅层的步骤.

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2021-08-23
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