产品分类

两个MOSFET的栅极由相同的信号驱动。当信号为高电平时，N通道MOSFET导通，当信号为低电平时，P通道MOSFET导通，从而产生一个两晶体管推挽输出配置。MOSFET的输出级可有一路或两路输出。根据输出级有一路还是两路输出，可实现具有一个或两个栅极电阻（导通，关断）的用于对称或不对称栅极控制的解决方案。 保护IGBT的续流二极管的开关特性也受栅极电阻的影响，并限制栅极阻抗的最小值。这意味着IGBT的导通开关速度只能提高到一个与所用续流二极管反向恢复特性相兼容的水平。栅极电阻的减小不仅增大了IGBT的过电压应力，而且由于IGBT模块中diC/dt的增大，也增大了续流二极管的过压极限。通过使用特殊设计和优化的带软恢复功能的CAL（可控轴向寿命）二极管，使得反向峰值电流小，从而使桥路中IGBT的导通电流小