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GAA工艺
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5月14日，在三星的代工论坛活动中，三星发布了其第一款3nm工艺的产品设计套件（PDK） alpha 0.1版本，旨在帮助客户尽早开始设计工作，提高设计竞争力，同时缩短周转时间（TAT）。这一宣布的特别之处在于，3nm是三星打算推出下一代环绕栅极Gate-All-Around（GAA）技术以取代FinFET的工艺节点。这个被称为当前FinFET 技术进化版的生产技术，能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造，使其更小更快。

首发GAA晶体管技术，三星3nm工艺成功流片
首发GAA晶体管技术，三星3nm工艺成功流片
　　目前全球已量产的最先进工艺是5nm，台积电明年就要量产3nm工艺，不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，迈出了关键一步。　　在3nm节点，三星比较激进，直接选择了下一代工艺技术——GAA环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Br......
GAA晶... 通道场效... GAA工...
2021-07-01
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