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沟道器
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实施例针对具有超长沟道的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构.在衬底上形成一对半导体鳍片.在衬底上的半导体鳍之间形成半导体柱.在所有半导体鳍下方和部分半导体柱下方延伸的区域掺杂.在半导体鳍片的沟道区域和半导体柱上方形成导电栅极.当栅极被激活时,半导体柱的表面用作扩展的沟道

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沟道器件 沟道器 栅极驱动
2021-04-09
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