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沟道器件
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短沟道效应：缓变沟道的近似不再成立，这个二维电势分布会导致阈值电压随L的缩短而下降，亚阈值特征的降级以及由于隧穿穿透效应而使电流饱和失效，在沟道出现二维电势分布以及高电场，这些不同于长沟道MOS场效应晶体管特性的现象，统称为短沟道效应。

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　　日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼......
沟道器件 沟道器 栅极驱动
2021-04-09
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