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低导通电阻
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东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76%的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外，它还减少了Qoss[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。

ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信号MOSFET的介绍、特性、及应用
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　　功率转换器中越来越多地使用碳化硅（SiC）晶体管，这对尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。与双极IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以设计快速开关的单极器件。因此，现在仅在低压环境（<600 V）下才可能使用的解决方案现在也可以在更高的电压下使用。结果是最高的效率，更高的开关频率，更少的散热和节省空间–这些优点反过来......
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　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V和－60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 /......
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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)
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　　解决电源电路中电容器课题的新技术登场！　　知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一种新的电源技术“Nano Cap ”，使用该技术，可以使包括汽车和工业设备在内的各种电源电路在外置电容器容量为极小的nF级（纳米级： 1纳米为10的负9次方米）时也可稳定控制。　　在电子设备的电源电路中，会使用外置电容器来稳定输出。例如，......
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2020-09-30
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TOREX低导通电阻，高速开关 扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容 XP231P02013R、XP232P05013R
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　　XP231P02013R（-30V耐压）和XP232P05013R（-30V耐压）是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。　　封装组件均采用了小型SOT-323-3A（2.1 x 1.25 x h0.95mm)，推动机器小型化。　......
TORE...
2020-04-17
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TOREX - 低导通电阻，高速开关大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP23系列、XP26系列
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　　特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了4种XP23系列（30V耐压）、3种XP26系列（60V耐压）作为MOSFET的新产品。　　此次推出的7种产品均是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极......
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2019-10-21
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2016年东芝推出用于MOSFET的低导通电阻的负载开关
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东芝2016年6月23日推出了导通电阻较该公司原产品削减约65％的两款负载开关用n沟道型MOSFET，分别为+60V耐压的“SSM3K341R”和+100V耐压的“SSM3K361R”。导通电阻方面，+60V耐压品在栅-源间电压为+4.5V时为36mΩ（标称值），+10V时为28mΩ（标称值）；+100V耐压品在栅-源间电压为+4.5V......
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