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3GAE
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集微网消息，三星在最近的IEEE国际固态电路会议上，分享了自家在3nm GAE MBCEFET芯片制造方面的一些细节。 根据DigiTimes发布的最新把报告，台积电的3nm工艺将在今年下半年开始试产。近年来，三星和台积电在先进工艺制程方面的竞争愈发激烈。虽然三星一直处于落后于台积电的位置，但也在不停追赶。

三星演示 3nm MBCFET 芯片：采用纳米片结构制造晶体管
三星演示 3nm MBCFET 芯片：采用纳米片结构制造晶体管
　　三星电子和台积电目前都计划开展 3nm 制程工艺研发。据外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造细节。　　GAAFET 晶体管（闸极全环场效晶体管）从构造上有两种形态，是目前 FinFET 的升级版。三星表示传统的 ......
晶体管 固态电路 3GAE
2021-03-16
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