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沟道MOSFET
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MOSF... 开关频率 高阻塞电...
2022-11-23
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2021-08-04
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2021-05-26
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　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET--- SQJ211ELP ，用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型Po......
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2021-01-19
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2021-01-13
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Vishay推出业内导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度
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　　首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通电阻降至1.7 mΩ。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP导通电阻达到业内 水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。 　　日前发布的MOS......
导通电阻
2020-08-19
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NexperiaP沟道MOSFET，采用省空间坚固LFPAK56封装
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　　半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。 新系列产品在30 V至6......
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2020-05-09
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　　XP231P02013R（-30V耐压）和XP232P05013R（-30V耐压）是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。　　封装组件均采用了小型SOT-323-3A（2.1 x 1.25 x h0.95mm)，推动机器小型化。　......
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2020-04-17
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Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET
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　　由于需要很高功率，12 V汽车系统马达驱动和主电源要求MOSFET在各种应用中具有极低的导通电阻，如电池反向极性保护和高边开关。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V条件下，导通电阻分别为4.4 mW和7.0 mW，完全可以满足这种要求。此外，作为p沟道MOSFET，......
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2019-11-04
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TOREX - 低导通电阻，高速开关大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP23系列、XP26系列
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　　特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了4种XP23系列（30V耐压）、3种XP26系列（60V耐压）作为MOSFET的新产品。　　此次推出的7种产品均是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极......
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