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Vishay的多功能30v n通道TrenchFET Gen V功率MOSFET采用3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装，采用源翻转技术。SiSD5300DN与PowerPAK 1212-8S占用相同的空间，导通电阻降低18%以提高功率密度，而其源翻转技术将热阻降低了+63°C/W至+56°C/W。此外，MO......
Vish... SISD... MOSF...
2024-02-02
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet的介绍、特性、及应用
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet具有较低的RDS(on)、栅极阈值和输入电容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101认证和PPAP功能，是汽车应用的理想选择。特性......
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2024-01-30
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onsemi NTMYS003N n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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onsemi NTMYS003N n沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计，采用5mm x 6mm LFPAK封装。该功率MOSFET具有低R(DS(ON))，低Q(G)和电容，80V漏源电压，±20V栅源电压，-55°C至175°C工作结和存储温度范围。NTMYS003N n沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS标准。典型应用包括......
ONSE... NTMY... MOSF...
2024-01-29
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Littelfuse/IXYS MXB12R600DPHFC 600V x2级硅MOSFET升压转换器的介绍、特性、及应用
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Littelfuse/IXYS的MXB12R600DPHFC x2级Si MOSFET是一款600 V, 160毫欧， 18a升压转换器，将x2级n通道超结功率MOSFET与高性能快速恢复二极管结合在一起，集成到dcb隔离的i4-PAC 封装中。这种分立、隔离封装中的集成升压拓扑通过减少所需分立功率元件的数量，有助于简化热管理。由于内置H......
IXYS MXB1... 升压转换...
2024-01-29
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YAGEO XSemi N沟道和p沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用
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MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种使用金属氧化物栅极的电压控制场效应晶体管。YAGEO XSemi的功率mosfet(也称为功率晶体管)具有低导通电阻和高开关速度，适用于各种应用，包括模拟和数字电路。可用的封装广泛用于商业和工业表面贴装应用。与bjt不同，mosfet与载流通道是电隔离的，有助于降低器件的功耗。mosfet......
Yage... XSem... MOSF...
2024-01-29
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IXYS IXTY2P50PA系列PolarP p沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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IXYS的IXTY2P50PA是一款符合aec - q101标准的PPAP， -500 V， -2 A, PolarP p通道增强模式功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK)封装。它使用Polar技术平台，导致导通状态电阻(R(DS(ON))， max = 4.2 欧姆)和栅极电荷(Q(g) = 11.9 nC)显著降低。p沟道M......
IXYS IXTY... MOSF...
2024-01-29
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英飞凌CoolSiC汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet双向车载充电器的介绍、特性、及应用
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英飞凌凌CoolSiC 汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet可帮助电动汽车制造商打造11kW和22kW双向车载充电器，提高效率、功率密度和可靠性。这些器件在高温(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飞凌的专有技术。XT模具贴附技术，在同等尺寸的模具上实现最佳的热阻抗。CoolSiC 750V G1技术提供非常高的鲁......
英飞凌 Cool... 车载充电...
2024-01-25
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意法半导体STEVAL-LVLP01电机控制发现套件(STDRIVE101三相栅极驱动器和STL8N10F7功率mosfet)的介绍、特性、及应用
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意法半导体STEVAL-LVLP01电机控制发现套件基于STDRIVE101三相栅极驱动器和STL8N10F7功率mosfet，嵌入了用于驱动三相无刷直流电机的电源级和电路。使用B-G473E-ZEST1S，用户可以在STM32微控制器上启用ZeST和HSO算法。STEVAL-LVLP01套件支持单分流或三分流操作。用于板载电机定位反馈和......
意法半导... STEV... 电机控制...
2024-01-24
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Microchip MSC400SMA330碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用
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MSC400SMA330是Microchip的SiC MOSFET器件家族的一部分。Microchip的SiC解决方案专注于高性能，有助于最大限度地提高系统效率，最小化系统重量和尺寸。Microchip经过验证的SiC可靠性也确保了终端设备在使用寿命期间不会出现性能下降。特性低电容和低栅极电荷内部栅极电阻(ESR)低，开关速度快在高结温下......
MICR... MSC4... MOSF...
2024-01-23
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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源电压(V(DSS))和±15.a连续漏极电流。该n沟道MOSFET提供38毫欧低导通电阻(R(DS(on)))和14W的功耗。RQ3L060BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作结和存储温度范围内，采用无卤素，大功率小模具封装(HSMT8)......
ROHM... RQ3L... MOSF...
2024-01-22
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onsemi NVMFWS003N10MC单n沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用
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onsemi NVMFWS003N10MC单n沟道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源电压下提供169A连续漏极电流3.1毫欧。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引线封装，设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽车应用的理想选择。特性占地面积小(5......
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2024-01-22
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MCBS 大电流工业强度mosfet(MCBS2x组件)的介绍、特性、及应用
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MCBS高电流工业强度mosfet是n沟道mosfet，可为工业设计提供生产力和可持续性的结合。MCBS2x组件有100V和40V两种选择，采用to -263-7封装，可满足各种工业设备和系统的高温、高功率需求。这些mosfet在高达+175°C的结温下提供可靠的性能，采用低外形，超低2毫欧 R(DS(on))和分栅沟槽(SGT)技术。其......
MCBS MCBS... MOSF...
2024-01-22
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英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用
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英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒状产品组合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封装的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范围为8.7毫欧至160毫欧， ID为+25°C，最大17A至205A。高功率......
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2024-01-22
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onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III型MOSFET的介绍、特性、及应用
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onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET是一款采用电荷平衡技术的高压超级结(SJ) MOSFET。这种功率MOSFET提供更少的传导损耗，优越的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET优化了主体二极管的反向恢复性能，从而消除了额......
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2024-01-19
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Vishay POWERPAK 1212 mosfet的介绍、特性、及应用
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Vishay POWERPAK 1212 mosfet是开关应用的理想选择，其导通电阻约为1毫欧，可处理高达85A的电压。Vishay POWERPAK 1212引入了一种封装技术，以降低高性能芯片降级的风险。该封装在紧凑的设计中提供超低热阻抗，使其成为空间受限应用的理想选择。特性开关应用的理想选择导通电阻约1毫欧，可处理高达85A的电压......
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2024-01-19
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基于2N3904 NPN型晶体管和IRF520、IRF530 MOSFET实现小信号放大电路设计方案
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　　小信号放大电路设计方案　　设计小信号放大电路的方案需要考虑多个因素，包括放大倍数、频率响应、稳定性等。以下是一个基本的小信号放大电路设计方案：　　确定放大倍数：首先，你需要确定所需的放大倍数。这可以通过信号的输入和输出幅度之间的比值来计算得到。放大倍数通常用增益(Gain)表示，Gain = Vout / Vin。根据你的需求，选择......
小信号放...
2023-07-31
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PANJIT 40V增强模式mosfet的介绍、特性、及应用
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　　PANJIT 40V增强模式mosfet是低压mosfet，导通电阻低于1欧姆。这些低压mosfet符合AEC-Q101标准，通常用于汽车级设备。40V增强模式mosfet是无铅的，符合欧盟RoHS 2.0。典型的应用包括低功耗系统产品，如笔记本电脑、PC主板、平板电脑和其他便携式消费产品。　　特性　　40V低压mosfet　　A......
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2023-07-05
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小信号MOSFET桥驱动设计MC34063扩流降压电路设计方案
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　　小信号MOSFET桥驱动设计MC34063扩流降压电路设计方案　　以下是一个简单的扩流降压电路的设计概述：　　材料清单：　　MC34063 DC-DC升降压转换器芯片　　小信号N沟道MOSFET(用于桥驱动)　　输入电源　　扩流负载　　其他必要的电子元件(电容、电阻等)　　电路设计步骤：　　确定输入电源电压和输出电压要求。MC3406......
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2023-06-30
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Nexperia 50V/55V mosfet适用于36V直流电机的介绍、特性、及应用
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　　Nexperia 50V/55V mosfet用于36V直流电机提供330A或410A的连续电流LFPAK88封装。逻辑电平，门驱动，n通道增强模式mosfet是电池隔离和直流电机控制家族的mosfet成员。该器件使用Nexperia独特的“SchottkyPlus”技术，提供高效率和低峰值性能，通常与集成肖特基或肖特基类二极管的m......
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2023-04-20
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　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化，并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V栅驱动时提供最佳性能，但在使用15V栅驱动时也工作良好。该器件采用平面技术，工作可靠的负栅电压驱动和关闭栅上的尖峰。　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ......
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2023-04-18
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