方案概述

1.方案介绍：

ME2185内部集成有超低Rds(on)的PMOS、NMOS功率管，轻载时芯片工作在PFM模式，确保芯片在宽负载范围内都具有较高的转换效率。芯片采用ESOP8的封装形式，工作频率1M赫兹，外围元件只需要一个2.2uH的电感、几个陶瓷电容和贴片电阻，PCB板占位空间极低。采用ME2185的升压系统，在实现高功率密度输出的同时，却具有傲视群芯的升压转换效率。

2.产品特点：

高达92.5%的转换效率（Iout=2A  Vout=5V  from Vin=3.3V ）

高达90%的转换效率（Iout=2A  Vout=5V  from Vin=3.0V ）

保证2.5A的输出电流能力（Vout=5V  from  Vin=3.3V）

振荡频率1M赫兹

输出电压可调（Vfb=1.25V）

输入电压欠压保护

MOS管限流保护（可外部设定）

过温保护（156℃）

3.应用原理图：

由应用电路可以看出，外围只需要一个电感、几个小型陶瓷电容和贴片电阻，PCB占位空间极低。

4.转换效率图：

5.产品应用：

ME2185应用范围广泛，可为多种便携式手持设备，移动电源平板电脑等。

5V3A高效率同步整流升压IC

 锂电池升压输出5V1A,5V2A,5V3A的同步整流升压IC，内置通态电阻极低的专用功率MOSFET取代整流二极管。大大提高了效率。使效率做到90%以上的高效率。外围元件只需要电阻，电容和线圈电感，极少的外围元件。

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。

同步整流的基本电路结构

功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。

开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖 特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。

举例说明，笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18%～40%）PO，占电源总损耗的60%以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。