2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年。

　　TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆叠顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。

　　DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在今年新增产能及制程转换同时进行的情况下，业者自2016年第二季起加速3D-NAND的制程转进，整体3D-NAND产出比重在年底前达到30%，而自明年起在整体投片产能仅年增6%的成长幅度下，多数业者将开始降低2D-NAND的供货来达到提升3D-NAND产能的目标，因此，DRAMeXchange预估，自2017年第一季起2D-NAND的供给量滑落的速度将加快，至第三季占整体NAND出货比重将滑落至50%以下。

　　然而，在3D-NAND的进展上，64层堆叠的3D-NAND Flash在良率与eMMC/UFS、用户级SSD、企业级SSD等OEM产品的导入上，挑战性皆增加，因此明年3D-NAND在64层堆叠的产品成熟前也将维持供应吃紧的状况，最快要到2017年第三季起才有机会成熟量产出货。

　　从需求端来看，由于智慧型手机成长放缓、平板电脑出货持续衰退，相关行动式 NAND的需求成长动能将改由平均搭载量(Content per box)来驱动，而在新款iPhone出货主流为128GB下，其他智慧型手机品牌也加速提升eMMC/UFS的容量来提高产品竞争力。

　　DRAMeXchange预估，2017年第四季全球笔电出货的固态硬碟渗透率将超越50%，且企业级SSD的需求也随着伺服器/资料中心的需求强劲成长而快速上扬，再加上固态硬碟的平均搭载量也持续增加，使得2017年整体固态硬碟需求成长率将高达60%，所消耗的Flash比重也将正式站上40%大关，为各项NAND Flash终端需求中表现最强劲的应用。

     2016年第一季NAND品牌营收排行榜

    TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在平均销售单价下滑幅度明显高于位元出货量成长的情况下，第一季NAND Flash品牌商营收较去年第四季下滑2.9%，已连续两个季衰退。

　　2016年第一季全球NAND Flash市况持续受供过于求影响，通路颗粒合约价下滑约10%;智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑出货大幅衰退也让eMMC、用户级固态硬碟(SSD)跌价幅度扩大至13~18%。

　　TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在平均销售单价下滑幅度明显高于位元出货量成长的情况下，第一季NAND Flash品牌商营收较去年第四季下滑2.9%，已连续两个季衰退。

　　DRAMeXchange研究协理杨文得表示，今年消费性电子产品市场持续衰退，因此需求端的成长只能透过平均容量(Content Per Box)的增加，然而在2D-NAND制程转进逼近最后世代、3D-NAND Flash制程转进不断递延的情况下，成本降低的幅度有限，今年NAND Flash制造商将面临营收成长趋缓的挑战。

　　以各家厂商来看，三星电子(Samsung)受惠于高容量企业级固态硬碟的亮丽表现，有效减缓消费型产品出货低迷的冲击。第一季位元出货量单季成长约9%，平均销售单价也仅下滑6~8%，因此三星电子第一季营收较去年第四季微幅增加1.2%，NAND Flash产品的营业利益率也较上季提升。

　　随笔记型电脑固态硬碟渗透率持续提升与资料中心对固态硬碟的需求增加，三星电子今年NAND Flash重点布局依旧锁定在固态硬碟，DRAMeXchange预估2016年三星电子NAND Flash的位元成长率在3D-NAND Flash的比重持续增加下，将优于产业平均水准。

　　东芝电子(Toshiba)由于营运面临外在压力，东芝在2015会计年度第四季(1~3月)结束前积极去化库存，因此第一季位元出货量较上一季大幅增加20~25%，然而第一季智慧型手机出货不振，造成零组件平均销售单价下滑13-15%。东芝电子营收季成长12%，而营业利益率也约略持平。

　　东芝电子15奈米产出比重在第一季超越70%，TLC产出比重也超过40%，48层堆叠的3D-NAND Flash将在下半年开始送样测试。东芝集团未来将集中资源在NAND Flash项目上，且3D-NAND Flash所需设备投入与资金将比2D-NAND Flash多，DRAMeXchange预估2016年东芝电子资本支出将较去年增加20%以上。

　　晟碟(SanDisk)第一季嵌入式产品线因主要大客户库存调整的影响，营收大幅衰退逾30%，然而随着用户级固态硬碟产品开始触底反弹，及企业级固态硬碟在几个主要资料中心业者的出货开始增加，第一季位元出货量仅季衰退6%，平均销售单价与成本则分别下滑8%与6%，整体产品营收下滑6.8%，毛利率维持40%。

　　企业级固态硬碟快速导入15奈米与增加NVMe的产品线为晟碟之后的布局重点，用户级固态硬碟则着眼于15奈米TLC的导入，整体产品成本可望下滑，嵌入式产品线持续拓展15奈米TLC在旗舰智慧型手机的应用。此外在生产端上，晟碟今年六月底前将微幅增加5%的晶圆产出，3D-NAND Flas则预计年底前占整体投片量15%。

　　SK海力士(Hynix)受到第一季智慧型手机主要策略客户拉货减弱的影响，平均销售单价下滑12%，出货量下降11%，营收大幅滑落约24%至6.41亿美元，表现持续疲软。在第一季基期较低且第二季开始中国新款智慧型手机的备货需求下，SK海力士第二季位元出货成长率将有30%以上的增幅。

　　SK海力士14奈米转进为下个阶段2D-NAND Flash的重点，3D-NAND Flash的进度也持续进行，除现今MLC版本的3D-NAND Flash开始导入高容量的UFS和eMMC外，TLC版本的3D-NAND Flash预计第三季末可供样本予客户测试。今年3D-NAND Flash依旧在M12厂生产外，M14厂生产3D-NAND Flash的进度也将自明年启动。

　　美光(Micron) 2016会计年度第二季(12~2月)非挥发性记忆体(Non-Volatile)出货位元季成长11%，但由于营收多来自于易受市场波动影响的零组件销售，因此整体营收季衰退6.9%至10.74亿元。

　　美光新加坡厂转进3D-NAND Flash的进度加快，Fab10X新厂目前机台设备开始移入准备下半年的量产。3D-NAND Flash的进度上，美光已将用户级固态硬碟送样给各大PC-OEMs业者测试，预期年底前3D-NAND Flash的产出占比将达50%。产品组合上，晶圆与颗粒的销售比重微幅增加，维持超过50%的水准，Mobile NAND约占10-15%，固态硬碟则约15%，其他部分多属车用、网通与工控类产品。

　　英特尔(Intel)由于第一季整体NAND Flash市场呈供过于求，加上其他NAND Flash业者也积极抢进企业级固态硬碟市场，使英特尔营收季衰退16%至5.57亿美元;而平均销售单价下滑幅度大于成本下降，营业利益率也由盈转亏。

　　现阶段英特尔主要产品为16奈米MLC为主，3D-NAND Flash的企业级固态硬碟在第二季开始送样给全球资料中心业者测试，预计今年下半年可量产出货。3D-XPoint也持续开发中，2017年上半年可开始送样测试。大连厂3D-NAND Flash机台设备已开始移入，预计第三季开始试产，第四季可量产出货。

    NAND

     NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

    NAND工作原理

    与磁性的HDD不同，NAND必须处于数据可以被写入的状态，没有HDD所具有的“位写入”（write-in-place）功能。如果数据已经被写在NAND上，那么该数据必须被擦除NAND才能接受新的数据。擦除是一个破环薄层材质的过程。

    NAND机构的简单解释起到了对此稍做澄清的作用，虽然这仍然令人困惑。

    NAND记忆体实质上由被称为页（page）和区块（block）的两类结构组成。每页最常见是4/2 KB（可以是其它大小，但这是最常见的），代表一个读取和写入单元。多个页组成32/128 KB或者128/512 KB的区块。NAND读取和写入是在页的级别上被执行的。相反，擦除是在区块级别上被执行的。

    与NOR闪存比较

    NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2)。NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP)，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢，NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。如今，越来越多的处理器具备直接NAND接口，并能直接从NAND(没有NOR)导入数据。

    编程速度快、擦除时间短

    NAND的真正好处是编程速度快、擦除时间短。NAND支持速率超过5Mbps的持续写操作，其区块擦除时间短至2ms，而NOR是750ms。显然，NAND在某些方面具有绝对优势。然而，它不太适合于直接随机存取。对于16位的器件，NOR闪存大约需要41个I/O引脚；相对而言，NAND器件仅需24个引脚。NAND器件能够复用指令、地址和数据总线，从而节省了引脚数量。复用接口的一项好处，就在于能够利用同样的硬件设计和电路板，支持较大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封装已经沿用多年，该功能让客户能够把较高密度的NAND器件移植到相同的电路板上。NAND器件的另外一个好处显然是其封装选项：NAND提供一种厚膜的2Gb裸片或能够支持最多四颗堆叠裸片，容许在相同的TSOP-1封装中堆叠一个8Gb的器件。这就使得一种封装和接口能够在将来支持较高的密度。

    NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多以2Gb NAND器件为例，它由2048个区块组成，每个区块有64个页2GB NAND闪存包含2,048个区块