有机场效应晶体管（Organic Field-Effect Transistor，简称OFET）的工作原理主要基于有机半导体材料的特性。这种晶体管的结构通常由衬底、栅极、介电层、有源层及源漏电极五部分组成。

在OFET中，栅极与介电层接触的有源层之间通过介电层隔开，形成一个电容器结构。当在栅极上施加电压（VGS）时，会在介电层附近的有源层内感应出电荷。这些电荷在介电层与有源层界面的导电沟道中积累，形成导电沟道。随后，在源漏电极之间加上源漏电压（VDS），感应电荷参与导电，使得半导体的电阻率相对于无栅极电压时发生量级的变化。此时，载流子从源电极注入到有源层，通过导电沟道传输，最后从有源层流出到漏电极，从而在源、漏电极之间产生源漏电流（IDS）。

通过调节栅极上的电压（VGS），可以调节平板电容器两极板间的电场强度，进而改变半导体层中的感应电荷密度，从而控制源漏电流的大小。这种电场效应使得OFET具有电压控制型器件的特性，具有输入阻抗高、热稳定性好、便于集成化等优点。

有机场效应晶体管的应用广泛，尤其在需要大面积、柔性或低成本电子设备的领域，如显示技术、传感器、可穿戴设备以及有机电子电路等。与传统的无机场效应晶体管相比，OFET的工艺简单、成本低，而且可以通过优化有机分子的结构来改进器件的性能，这为未来的电子设备设计和制造提供了广阔的空间。