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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mode GaN场效应管的介绍、特性、及应用
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V e模氮化镓(GaN)场效应管利用低导通电阻和高速开关来实现功率转换效率和减小尺寸。高可靠性的GNP1 fet内置ESD保护和良好的散热，便于安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。
特性
650V e型GaN场效应管
低ON电阻
高速开关
内置ESD保护
高度可靠的设计
有助于提高功率转换效率和减小尺寸
良好的散热性
通过无铅认证
应用程序
高开关变频器
高密度变换器
规范
GNP1070TC-Z
DFN8080K封装样式
7.3A至20A连续漏极电流范围
24A至66A脉冲漏极电流范围
漏源电压650V
750V瞬态漏源电压
-10V(DC)至+6V(DC)栅源电压范围
8.5V瞬态栅源电压
+25℃时功耗56W
0.86欧姆典型栅极输入电阻
200pF典型输入电容
50pF典型输出电容
44nC输出电荷
5.2nC典型总栅极电荷
典型导通延迟时间5.9ns
典型上升时间为6.9ns
典型关断延迟时间为8.0ns
8.7ns典型下降时间
GNP1150TCA-Z
DFN8080AK封装样式
5A至11A连续漏极电流范围
17A至35A脉冲漏极电流范围
漏源电压650V
750V瞬态漏源电压
-10V(DC)至+6V(DC)栅源电压范围
8.5V瞬态栅源电压
+25℃时功耗62.5W
2.6欧姆典型栅极输入电阻
112pF典型输入电容
典型输出电容为19pF
18.5nC输出电荷
2.7nC典型总栅极电荷
典型导通延迟时间为4.7ns
5.3ns典型上升时间
典型关断延迟时间为6.2ns
8.3ns典型下降时间
责任编辑：David
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