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ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET的介绍、特性、及应用
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原标题：ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET的介绍、特性、及应用
ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET是一种n通道MOSFET，设计具有低通阻和高功率封装。该器件具有20V(DSS)漏源极电压，3A连续漏极电流，1W功耗。RA1C030LD MOSFET提供1.8V驱动电压，静电放电(ESD)保护高达200V (MM)，和高达2kV (HBM)。这种MOSFET适用于开关电路，单电池应用和移动应用。RA1C030LD MOSFET是无铅，无卤，符合rohs标准的器件。
特性
20V(DSS)漏源极电压
3A连续漏极电流
低导通电阻
大功率小包装
静电保护可达200V (MM)和2kV (HBM)
n通道和3终端
1W功耗
1.8V驱动电压
无铅电镀
通过无铅认证
无卤素
应用程序
开关电路
单细胞的电池
移动
内部电路
尺寸
责任编辑：David
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