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IXYS xt 200V X4超结功率mosfet的介绍、特性、及应用
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原标题：IXYS xt 200V X4超结功率mosfet的介绍、特性、及应用
IXYS IXT 200V X4超结功率mosfet是n通道增强模式器件，具有10.6毫欧或13毫欧 R(DS(on))和200V最大漏源极电压。IXT mosfet具有TO-263或TO-220标准封装风格，具有雪崩级高功率密度。IXYS IXT 200V X4超结功率mosfet非常适合用于开关模式和谐振模式电源。
特性
国际标准包装
低R(DS(ON))和Q(G)
雪崩额定
低包电感
高功率密度
容易安装
节省空间
应用程序
开关模式和谐振模式电源
直流-直流转换器
PFC电路
交流和直流电机驱动
机器人技术和伺服控制
规范
200 v漏源极电压
86A和94A连续漏极电流选项
10.6毫欧或13毫欧 R(DS(on))选项
-55°C ~ +175°C的温度范围
示意图
责任编辑：David
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