0 卖盘信息
BOM询价
您现在的位置: 首页 > 电子资讯 >基础知识 > PANJIT 650V n通道超级结mosfet的介绍、特性、及应用

PANJIT 650V n通道超级结mosfet的介绍、特性、及应用

来源: hqbuy
2022-05-06
类别:基础知识
eye 7
文章创建人 拍明芯城

原标题:PANJIT 650V n通道超级结mosfet的介绍、特性、及应用

  Panjit 650V n通道超级结mosfet具有低R(DS(ON))和ITO-220AB-F封装中的高速开关。650V mosfet支持280毫欧, 380毫欧, 600毫欧,或900毫欧的R(DS(ON))。此外,mosfet提供4.7A, 7.3A, 10.6A或13.8A电流。100%雪崩和Rg测试Panjit 650V N-Ch超级结mosfet提供了易用性。

1.jpg

  特性

  易于使用/驱动

  高速开关低R(DS(ON))

  280毫欧, 380毫欧, 600毫欧或900毫欧的R(DS(ON))

  100%雪崩测试

  4.7A、7.3A、10.6A或13.8A电流

  100% R (g)测试

  无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准

  绿色成型胶料符合IEC 61249标准

  应用程序

  适配器

  LED照明

  USB-C PD充电器

  咖啡机事业单位

  PD充电器

  适配器

  监控事业单位

  PFC

  电视的力量

  电脑电源

  联合包裹

  规范

  ito - 220 - ab - f包

  端子是可焊接的,符合MIL-STD-750,方法2026

  约。重量0.068盎司,2克

  线路图

  

image.png


责任编辑:David

【免责声明】

1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。

2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。

3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。

4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。

拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。

相关资讯