NXP Semiconductors TEA2208T全波桥整流控制器的介绍、特性、及应用
来源:
hqbuy
2021-07-14
类别:基础知识
20
拍明
原标题:NXP Semiconductors TEA2208T全波桥整流控制器的介绍、特性、及应用
NXP Semiconductors TEA2208T全波桥整流控制器取代了传统的二极管桥,并使用TEA2208T与低欧姆高压外部mosfet。这提高了功率变换器的效率,因为典型的整流二极管正向导通损耗被消除了。在90V (AC)市电电压下,效率可提高约1.4%。TEA2208T采用绝缘体上硅(SOI)工艺设计。
特性
消除了二极管整流桥的正向传导损耗
极低的集成电路功耗(2mW)
集成高压电平移频器
直接驱动所有四个整流mosfet
非常低的外部零件计数
集成x电容放电(2mA)
自给的
全波驱动改善总谐波失真(THD)
S014包
用于高侧和低侧驱动器的欠电压锁定(UVLO)
所有外部功率场效应管的漏源过电压保护
所有外部功率mosfet启动时的栅极下拉电流
应用程序
适配器
桌面PC和一体机的电源
电视电源
服务器电源
框图
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。