原标题：亚德诺半导体ADRF5545A射频前端多芯片模块的介绍、特性、及应用

ADRF5545A双通道射频前端多芯片模块是专为2.4GHz到4.2GHz的时分双工(TDD)应用而设计的。ADRF5545A配置为双通道，具有级联两级低噪声放大器(LNA)和大功率单极双投(SPDT)开关。

在高增益模式下，级联的两级LNA和开关提供1.45dB的低噪声系数(NF)和3.6GHz下32dB的高增益，输出三阶截距点(OIP3)为32dBm(典型)。在低增益模式下，两级LNA有一级旁路，在36mA的低电流下提供16dB的增益。在power-down模式下，LNAs被关闭，设备绘图12mA。

在发射操作中，当RF输入连接到一个终端引脚(TERM-ChA或TERM-ChB)时，该开关提供0.65dB的低插入损耗。该设备处理长期演进(LTE)的平均功率(9dB峰值平均比(PAR))，在全寿命运行时为40dBm，在单事件(<10秒)LNA保护操作时为43dBm

特性

• 集成双通道射频前端

• 2级LNA和大功率SPDT开关

• 片上偏压和匹配

• 单供应操作

• 获得

• 高增益模式:3.6GHz时，典型为32dB

• 低增益模式:3.6GHz，典型为16dB

• 低噪声图

• 高增益模式:在3.6GHz时，典型为1.45dB

• 低增益模式:在3.6GHz时，典型为1.45dB

• 高的隔离

• RXOUT-CHA和RXOUT-CHB:典型值为47dB

• TERM-CHA和TERM-CHB: 52dB典型

• 低插入损耗:在3.6GHz时，典型为0.65dB

• 高功率处理TCASE = 105°C

• LTE平均功率(9dB PAR): 43dBm

• LTE平均功率(9dB PAR): 40dBm

• 完整的一生

• 单个事件(<10秒操作)

• 高OIP3: 32dBm典型

• LNA的下电模式和低增益模式

• 低电源电流

• 高增益模式:典型为5V 86mA

• 低增益模式:典型的5V 36mA

• 下电模式:5V下典型12mA

• 积极的逻辑控制

• 6mm×6mm, 40引脚LFCSP封装

应用程序

• 无线基础设施

• TDD海量多输入多输出有源天线系统

• TDD-based通信系统

原理框图