原标题：单结晶体管的结构介绍、工作原理及伏安特性、及主要参数

　　相信大家对晶体管并不陌生，多少都会了解一些其在电路中的主要的作用及功能，小编在下文将为大家详细介绍众多晶体管中的一种单结晶体管，包括单结晶体管的结构介绍、工作原理及伏安特性、及主要参数。单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管，是一种常用的半导体器件，它虽有三个管脚，很像半导体三极管，但它只有一个pN结，即一个发射极和两个基极，所以又称它为双基极二极管;它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2，在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。下面来看看其的原理和特性吧：

　　1.单结晶体管的结构介绍

　　单结晶体管的内部结构、符号表示、等效电路以及引脚排列，如图1(a)、(b)、(c)、(d)所示。引脚b1、b2分别为第一基极和第二基极(双基极)，e为发射极。e极和N型硅片间构成一个PN结。PN结A点至两基极间的等效电阻分别用rb1和rb2表示。两基极间的电阻用rBB表示，rBB=rb1+rb2。

　　2.单结晶体管的工作原理及伏安特性的介绍

　　单结管的伏安特性曲线示见下图1。共分三个区——截止区、负阻区、饱和区。

　　下图2为单结管的工作原理图。在电路中让基极2(b2)比基极l(b1)电位较正，图中电源电压VBB的正极接b2、负极接b1;发射极接触发电压VE。

　　即使单结晶体管处于截止区，从B1到B2仍有少量电流。沿着N型硅片存在着一个电压梯度VA。发射极电压VE等于启动或峰值电压VP(VP =VA+VD，VD为eb1之间的正向压降，一般约为0.6~0.7V。)，PN结是正偏置，单结晶体管导通。启动时，b1和E之间的电阻很快的降低，从b1到b2的电流增加，同时从E也有一个相当大的电流流出，使rb1为低阻态，管子也进入负阻区。VE低于低谷电压(VV)后，管子进入饱和区，使单结晶体管截止。发射极启动电压VP是由分压比η= rb1/rBB确定的。

　　单结晶体管的伏安特性

　　单结晶体管的工作原理图

　　单结晶体管具有负阻特性，利用这一特性可以组成自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时电路等脉冲单元电路，被广泛应用于脉冲及数宇电路中。

　　3.单结晶体管的主要参数有哪些?

　　(1)基极间电阻Rbb发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2—10千欧，其数值随温度上升而增大。

　　(2)分压比η由管子内部结构决定的常数，一般为0.3—0.85。

　　(3)eb1间反向电压Vcb1b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。

　　(4)反向电流Ieob1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。

　　(5)发射极饱和压降Veo在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。

　　(6)峰点电流Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流