单结晶体管是一种什么形式的晶体管呢?单结晶体管工作原理又是什么呢?

　　一、单结晶体管工作原理- -简介

　　单结晶体管，英文名称为Unipolar junction transisor，简写为UJT，是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，其基片为条状的高阻N型硅片，两端分别引出两个基极b1和b2，在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。因此在早期也将其称为双基极二极管，现在简称为基极二极管。单结晶体管的结构。

　　二、单结晶体管工作原理

　　观察单结晶体管的特性，首先在两个基极之间加电压UBB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压UE，UE可以用电位器RP进行调节，(将单结晶体管用一个PN结和二个电阻RB1、RB2等效构成)。

　　具体测试过程在此进行省略，综述，单结晶体管具有如下特点：

　　1、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压UV时，单结晶体管就恢复截止。

　　2、单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及其分压比有关。而分压比是由管子结构决定的，可以看做常数。对于分压比不同的管子，或者外加电压UBB的数值不同时，峰值电压UP也就不同。

　　3、不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不一样。谷点电压大约在2~5V之间。在触发电路中，常选用稍大一些、UV低一些和IV大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。

　　附：分压比+峰点+谷点概念解释

　　1、分压比：

　　当基极间加电压UBB时，RB1上分得的电压为

　　式中 称为分压比，与管子结构有关，约在0.5～0.9之间。

　　2、峰点、峰点电压、峰点电流：

　　当UE=UBB+UD时，单结晶体管内在PN结导通，发射极电流IE突然增大。把这个突变点称为峰点P，对应的电压UE和电流IE分别称为峰点电压UP和峰点电流IP。

　　3、谷点、谷点电压、谷点电流：

　　当发射极电流IE增大到某一数值时，电压UE下降到最低点。特性由线上的这一点称为谷点V，与此点相对应的是谷点电压UV和谷点电流IV。

　　晶闸管的触发电路有很多，其中比较常见的有单结晶体管触发电路。单结晶体管又称双基极二极管，有一个发射极和两个基极[2]。它是在一块高掺杂的N型硅基片一侧的两端各引出一个接触电阻很小的极，分别称为第一基极B1 和第二基极B2。而在硅片的另一侧靠近B2处，掺入P型杂质，形成PN 结，引出电极，称为发射极。因为N 型硅基片的杂质少，所以两基极之间的电阻(体电阻)较高。值得注意的是RB1 的阻值会随发射极电流Ie 的变化而改变，具有可变电阻的特性。发射极与两个基极之间的PN 结用一个等效二极管D 表示。图3 是它的结构、符号和等效电路。

　　图3 单结晶体管示意图

　　当发射极电流为零时，外加电压UBB 在RB1 和RB2 之间按一定比例分压，A 点和B1 之间的电压为

　　其中浊成为单结晶体管的分压系数(又称分压比)，它与管子内部结构有关，通常在0.3~0.9之间。