No.1：三星电子(Samsung)

三星电子(SamsungElectronics)作为韩国电子产品生产企业，是韩国规模最大的企业，同时也是三星集团子公司中规模最大且在国际市场处于领先地位的企业。该公司在全世界共65个国家拥有生产和销售法人网络，员工数多达157，000人，2009年超越惠普(HP)跃升为世界最大的IT企业，其中LCDTV、LEDTV和半导体等产品的销售额均在世界上高居榜首。国际市场上，三星电子生产的LEDTV及各种电视产品、GalaxyS系列手机等受到消费者的青睐。不仅如此，三星电子的存储器半导体广泛应用于世界各地的各种电子产品。

三星电子在电视领域创造的佳绩可谓是独一无二的，截至2009年，连续四年保持电视销售量第一的地位，2010年度若无特殊情况，将连续5年在世界上保持领先地位。据业界人士分析，三星电子之所以能够长期捍卫榜首的地位，正是得益于产品的性能、设计以及尺寸等要素，企业不断追求创新，推出引导时代潮流的新产品。

此外，三星电子在智能手机领域的代表性产品-GalaxyS(i9000)在国际手机市场始终紧随iPhone之后，成为与iPhone抗衡的一匹黑马。与此同时，三星电子继智能手机之后即将推出平板计算机(TabletPC)-GalaxyTab，而该产品与苹果公司的iPad将展开何种激烈的较量成为业界关注的焦点。

三星集团第二任会长李健熙始终强调‘危机’二字，他于2010年3月重归企业经营舞台时曾表示，三星电子的未来无法预测，在未来十年内，企业的大部分代表性产品将成为过去，因此需要从零做起。

半导体可谓是打造三星的一等功臣，三星电子的半导体发展史是企业的冒险挑战精神、董事会的决策、快速的掌握技术能力以及把握市场动向的敏锐洞察力融汇于一体的结果。

No.2：东芝电子(Toshiba)

东芝(TOSHIBA)是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。东芝原名东京芝浦电气株式会社，1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成;从1875年开创至今，已经走过了133年的漫长历程。

在民用方面：东芝从一家以家用电器、重型电机为主体的企业转变为包括通讯、电子在内的综合电子电器企业。进入20世纪90年代，东芝在数字技术、移动通信技术和网络技术等领域取得了飞速发展，东芝已成功地从家电行业的巨人转变为IT行业的先锋。在军用方面：东芝从二战至今依然是负责为日本生产各类坦克、机枪、导弹大炮。

2000年，东芝半导体的销售额继INTEL之后，位居世界第二位。笔记本电脑的市场占有率连续7年保持世界第一。至2000年底，IT产值在东芝总产值中所占的比例已经达到了74%。

东芝是由两家日本公司于1939年合并成的。

两家公司中第一个成立的是田中制造所，那是日本国内第一家电报设备制造公司;是由田中久重于1875年创立的。在1904年公司更名为芝浦制作所。在20世纪初期，公司以供应日本国内的重型机电制造为主业;在明治维新之后，公司更跃升为世界的工业大厂之一。

第二家公司原名白热舎，创立于1890年是日本第一家制作白热电灯泡台灯的公司。这家公司之后有生产各种不同的消费性电子产品，公司于1899年易名为东京电器。

在1939年东京电器与芝浦制作所正式合并成为东京芝浦电器株式会社。新名字分别为两家公司的开头字。而其英文名也是依照日语的拼音合并而来;To代表日语东的发音，Shiba代表芝的发音。不过公司一直到了1984年才正式开始使用“东芝株式会社"这个新品牌名称，并开始向泰国和中国出口。

No.3：SK海力士半导体(SKHynix)

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。2012年更名SKhynix。

海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

No.4：美光科技(Micron)

美光科技(MicronTechnology，以下简称美光科技)位于美国爱德荷州首府波伊西市，于1978年由WardParkinson、JoeParkinson、DennisWilson和DougPitman创立，1981年成立自有晶圆制造厂。

美光科技是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。

在1990年代初期，美光科技成立MicronComputers(美光电脑)子公司来制造个人电脑，该公司即后来的MicronElectronics(美光电子)。美光1998年亦并购了Rendition公司来制造3D加速芯片。2002年美光卷入了内存价格操纵丑闻。美光于2007年3月21日首次在中国西安成立了工厂，主要生产DRAM和NAND快闪存储器。

No.5：英特尔(Intel)

英特尔公司(IntelCorporation)总部位于美国加州，工程技术部和销售部以及6个芯片制造工厂位于美国俄勒冈州波特兰。英特尔的创始人罗伯特·诺伊斯RobertNoyce和戈登·摩尔GordonMoore原本希望他们新公司的名称为两人名字的组合——MooreNoyce，但当他们去工商局登记时，却发现这个名字已经被一家连锁酒店抢先注册。不得已，他们采取了“IntegratedElectronics(集成电子)”两个单词的缩写为公司名称。现任CEO是BrianKrzanich。

英特尔公司在随着个人电脑普及，英特尔公司成为世界上最大设计和生产半导体的科技巨擘。为全球日益发展的计算机工业提供建筑模块，包括微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等。这些产品为标准计算机架构的组成部分。业界利用这些产品为最终用户设计制造出先进的计算机。英特尔公司致力于在客户机、服务器、网络通讯、互联网解决方案和互联网服务方面为日益兴起的全球互联网经济提供建筑模块。

具体研究领域包括音频/视频信号处理和基于PC的相关应用，以及可以推动未来微结构和下一代处理器设计的高级编译技术和运行时刻系统研究。另外还有英特尔中国软件实验室、英特尔架构开发实验室、英特尔互联网交换架构实验室、英特尔无线技术开发中心。除此之外，英特尔还与国内著名大学和研究机构，如中国科学院计算所针对IA-64位编译器进行了共同研究开发，并取得了可喜的成绩。

英特尔公司于1968年由罗伯特·诺伊斯、戈登·摩尔和安迪·格鲁夫创建于美国硅谷，经过近40年的发展，英特尔公司在芯片创新、技术开发、产品与平台等领域奠定了全球领先的地位，并始终引领着相关行业的技术产品创新及产业与市场的发展。

英特尔为计算机工业提供关键元件，包括性能卓越的微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等，这些产品是标准计算机架构的重要组成部分。英特尔一直坚守“创新”理念，根据市场和产业趋势变化不断自我调整。从微米到纳米制程，从4位到64位微处理器，从奔腾®到酷睿TM，从硅技术、微架构到芯片与平台创新，英特尔不间断地为行业注入新鲜活力，并联合产业合作伙伴开发创新产品，推动行业标准的制定，从而为世界各地的用户带来更加精彩的体验。

英特尔公司设有多个运营部门：数字企业事业部、移动事业部、数字家庭事业部、数字医疗事业部和渠道平台事业部。2006年，英特尔全球年收入达到354亿美元。

在1999年的时候英特尔公司市值最高突破了5000亿美元，最高峰为5090亿美元，相当于今天2012年的7025亿美元

2014年4月9日，英特尔公司将关闭旗下位于哥斯达黎加的组装和测试工厂，并裁减1500名员工。

　　Nand flash

　　Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

　　Nand flash解析

　　NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

　　“NAND存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因 为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

　　NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。

　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

　　NAND特点

　　容量和成本

　　NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就 相应地降低了价格。

　　NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128M B的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存 储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存储卡市场上所占份额最大。

　　物理构成

　　NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*(32*528B)=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。

　　NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：

　　Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位

　　Page Address ：页地址

　　Block Address ：块地址

　　对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。

　　可靠耐用性

　　采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说 ，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

　　寿命(耐用性)

　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。

　　NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型 的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一 些。

　　位交换

　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。

　　bit反转图片

　　bit反转图片

　　一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能 导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次 就可能解决了。

　　当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位 反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建 议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。

　　这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时， 必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

　　坏块处理

　　NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

　　NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制 成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项 处理，将导致高故障率。

　　易于使用

　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直 接运行代码。

　　由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

　　在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写 入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏 块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

　　软件支持

　　当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和 闪存管理算法的软件，包括性能优化。

　　在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常 需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD )，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

　　使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软 件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱 动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

　　驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和 损耗平衡。(纠正一点：NOR擦除时，是全部写1，不是写0，而且，NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、 大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S。)NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商，曾经是FLASH的主流产品，但现在被 NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比 较贵。

　　NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种 FLASH，由于工艺上的不同，它比NOR FLASH拥有更大存储容量，而且便宜。但也有缺点，就是

　　无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。

　　在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了

　　SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，

　　必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行，挺麻烦的。