原标题：珠联璧合：5V2.4A 六级能效充电器套片方案

　　今天我们为各位粉丝详细介绍Chipown产品PN8305与PN8370配合使用，轻松实现5V2.4A六级能效电源方案。

　　1.封装及脚位配置图

　　PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

　　PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。

　　PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。

　　PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

　　2.PCB及DEMO实物图

　　3.方案典型应用图

　　4.方案特性

　　输入电压：90~265Vac全电压

　　输出电压：5V

　　输出电流：2.4A

　　平均效率：≥79.94%(满足六级能效要求)

　　待机功耗<75mW

　　多重补偿(线补偿、CC补偿、温度补偿、轻载补偿)无需外部元件

　　输出短路保护、输出过流保护，VDD过压保护，FB分压电阻开路、短路保护，电流侦测电阻Rcs短路保护，过温保护。

　　5.测试数据

　　6.EMC测试

　　EMI传导、辐射满足EN55022 Class B标准要求，裕量均大于6.0dB

　　ESD满足IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求

　　EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求

　　Surge满足IEC 61000-4-5:2005，1kV等级要求

　　交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求

　　7.应用要点

　　PN8370工作在DCM模式，忽略传输瞬态Tr和Tf，导通时间、去磁时间和振荡时间分别为：

　　PN8370在T2时间内间接采样输出电压信号，为减小漏感振荡对采样的影响，最小T2时间应足够长(5V2.4A应用建议大于2.5us)：

　　备注：电源在小负载工况下，PN8370的Vcs=0.17V以避免音频噪音。

　　PN8305须在T2时间内完成Trench MOSFET的开通和关断，其最小导通时间由RT电阻设定：

　　因此RT电阻建议取值为: