行动装置如智慧型手机、平板电脑等应用领域，对于半导体晶片的需求走到超低功耗，制程技术从28奈米制程，到20奈米制程，将于2015年进入第一代3D设计架构的FinFET制程，也就是14/16奈米世代。

　　台积电2015年下半即将量产16奈米世代，英特尔、三星电子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries将是14奈米制程世代，英特尔早一些量产，之后是三星，GlobalFoundries制程技术将属于三星阵营。

　　台积电因为为大客户苹果生产20奈米制程晶片，因此16奈米制程技术问世时间较晚，相较之下，三星电子在技术上跳过20奈米制程，直接生产14奈米制程世代。

　　根据巴克莱(Barclays)统计，2015年三星在FinFET制程世代可以拿下53%的市占率，相较于台积电FinFET制程可拿下39%，三星在 2015年仍是暂时领先，但预计到了2016年，台积电的市占率预计可将达61%，而三星和GlobalFoundries联手拿下约39%，台积电重新夺回主导权地位。

　　台积电、三星与英特尔的先进制程竞赛打得火热，在目前14/16 纳米之后，制程战一路来到了10 纳米。这些数字背后的意义其实指的是「线宽」，精确一点而言，就是金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)的闸极长度(Gate Length)。

　　场效电晶体用闸极来控制电流的通过与否，以代表0 或1 的数位讯号，也是整个结构中最细微、复杂的关键，当闸极可以缩小，电晶体体积也能跟着缩小，一来切换速度得以提升，每个芯片能塞入更多电晶体或缩小芯片体积;再者，当闸极长度愈小，闸极下方电子通道愈窄，之间的转换效率提升、能量的耗损也能降低，收减少耗电量之效，但当闸极太薄，源极与汲极距离愈靠近，电子也可能不小心偷溜过去产生漏电流，加以也有推动力不足的问题，这也是为何制程微缩难度愈来愈高;台积、英特尔与三星群雄间争的你死我活的原因。

　　英特尔14/16纳米、台积电14/16纳米、三星14/16纳米制程节点数字都灌水?

　　包含半导体芯片和系统还原工程与分析厂商ChipWorks、Techinsights 与半导体分析厂商Linley Group 都对台积电、三星、英特尔16/14 纳米做过比较。

　　从Linley Group 与Techinsights 实际分析的结果，包含英特尔、台积电与三星在14/16 纳米实际线宽其实都没达到其所称的制程数字，根据两者的数据，台积电16 纳米制程实际测量最小线宽是33 纳米，16 纳米FinFET Plus 线宽则为30 纳米，三星第一代14 纳米是30 纳米，14 纳米FinFET 是20 纳米，英特尔14 纳米制程在两家机构测量结果分别为20 纳米跟24 纳米。

　　英特尔技术真的依然狠甩台积、三星?

　　调研The Linley Group 创办人暨首席分析师Linley Gwennap，在2016 年3 月接受半导体专业期刊EETimes 采访时，也透露了晶圆代工厂间制程的魔幻数字秘密，Gwennap 指出，传统表示制程节点的测量标准是看闸极长度，但在行销的努力下，节点名称不再与实际闸极长度相符合，不过，差距也不会太大，Gwennap 即言，三星的14 纳米约略等于英特尔的20 纳米。Gwennap 认为，台积电与三星目前的制程节点仍落后于英特尔，以三星而言，14 纳米制程称作17 纳米会较佳，而台积电16 制程其实差不多是19 纳米。

　　但美国知名财经部落格The Motley Fool 技术专栏作家Ashraf Eassa 从电子显微镜图来看，认为英特尔、三星甚至台积电在三者14/16 纳米制程差距或许不大。Ashraf Eassa 对比英特尔14 与22 纳米，以及三星14 纳米的电子显微镜图，其指出，英特尔14 纳米侧壁的斜率要比22 纳米垂直，根据官方的说法，这能使英特尔的散热鳍片(fin)更高更瘦，以提升效能。

　　而三星14 纳米制程电子显微镜图相较起来，和英特尔14 纳米制程还比较相近，加以Ashraf Eassa 用台积电宣称16 纳米FinFET Plus 能比三星最佳的14 纳米技术在相同功率下，效能能比三星提升10% 来推测，台积电16 纳米FinFET Plus 的晶体管结构应与三星相差不远，甚至鳍片(fin)会更加细长。